如圖(甲)所示,在xoy平面內(nèi)有足夠大的勻強(qiáng)電場(chǎng),電場(chǎng)方向豎直向上,電場(chǎng)強(qiáng)度E=40N/C.在y軸左側(cè)平面內(nèi)有足夠大的瞬時(shí)磁場(chǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度B
1隨時(shí)間t變化規(guī)律如圖(乙)所示,15π s后磁場(chǎng)消失,選定磁場(chǎng)垂直向里為正方向.在y軸右側(cè)平面內(nèi)還有方向垂直紙面向外的恒定的勻強(qiáng)磁場(chǎng),分布在一個(gè)半徑為r=0.3m的圓形區(qū)域(圖中未畫出),且圓的左側(cè)與y軸相切,磁感應(yīng)強(qiáng)度B
2=0.8T.t=0時(shí)刻,一質(zhì)量m=8×10
-4kg、電荷量q=2×10
-4C的微粒從x軸上x
P=-0.8m處的P點(diǎn)以速度v=0.12m/s向x軸正方向入射.(計(jì)算結(jié)果保留二位有效數(shù)字)
(1)求微粒在第二像限運(yùn)動(dòng)過(guò)程中離y軸、x軸的最大距離
(2)若微粒穿過(guò)y軸右側(cè)圓形磁場(chǎng)時(shí),速度方向的偏轉(zhuǎn)角度最大,求此圓形磁場(chǎng)的圓心坐標(biāo)(x、y)
(3)若微粒以最大偏轉(zhuǎn)角穿過(guò)磁場(chǎng)后,擊中x軸上的M點(diǎn),求微粒從射入圓形磁場(chǎng)到擊中M點(diǎn)的運(yùn)動(dòng)時(shí)間t.