Question

下表是元素周期表的一部分，表中所列的字母分別代表一種化學元素．

試回答下列問題：
（1）請寫出元素O的外圍電子排布式

 

．
（2）由j原子跟c原子以1：1相互交替結合而形成的晶體，晶型與晶體j相同．兩者相比熔點更高的是

 

（填化學式），試從結構角度加以解釋

 

．
（3）i單質晶體中原子的堆積方式如下圖甲所示，其晶胞特征如下圖乙所示，原子之間相互位置關系的平面圖如圖丙所示．
 
請回答：晶胞中i原子的配位數(shù)為

 

，一個晶胞中i原子的數(shù)目為

 

．

Answer 1

考點：元素周期律和元素周期表的綜合應用

專題：元素周期律與元素周期表專題

分析：由元素所在周期表中的位置可知，a為H，b為Li，c為C，d為N，e為O，f為F，g為Na，h為Mg，i為Al，j為Si，k為S，l為Cl，m為Ar，n為K，o為Fe，
（1）由元素所在周期表中的位置可知，O位于第四周期ⅤⅢ族第一列，O為Fe，外圍電子排布式3d⁶4s²；
（2）SiC和晶體Si均屬于原子晶體，原子晶體的熔沸點取決于共價鍵的強度，由于C的原子半徑小，SiC中C-Si鍵鍵長比晶體Si中Si-Si鍵長短，鍵能大，因而熔沸點高；
（3）該類型為面心立方最密堆積，配位數(shù)=3×

1

2

×8=12，由圖2可知占據(jù)頂點和面心，則一個晶胞中Al原子的個數(shù)為8×

1

8

+6×

1

2

=4．

解答： 解：（1）由元素所在周期表中的位置可知，O位于第四周期ⅤⅢ族第一列，O為Fe，外圍電子排布式3d⁶4s²，
故答案為：3d⁶4s²；
（2）SiC和晶體Si均屬于原子晶體，原子晶體的熔沸點取決于共價鍵的強度，由于C的原子半徑小，SiC中C-Si鍵鍵長比晶體Si中Si-Si鍵長短，鍵能大，因而熔沸點高，
故答案為：SiC； 因SiC晶體與晶體Si都是原子晶體，由于C的原子半徑小，SiC中C-Si鍵鍵長比晶體Si中Si-Si鍵長短，鍵能大，因而熔沸點高；
（3）根據(jù)圖片知，Al單質為面心立方最密堆積，配位數(shù)=3×

1

2

×8=12，由圖2可知占據(jù)頂點和面心，則一個晶胞中Al原子的個數(shù)為8×

1

8

+6×

1

2

=4，
故答案為：12；4．

點評：本題考查物質結構與性質，涉及元素周期表、核外電子排布規(guī)律、分子結構與性質、晶體類型與性質等，難度中等，側重考查學生對知識運用、分析解決問題能力，注意利用“均攤法”進行晶胞中粒子個數(shù)的計算．