17.(1)AlN的晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似,在AlN晶體中,每個(gè)Al原子與4個(gè)N原子相連,與N元素同主族的元素As位于元素周期表的第四周期,其基態(tài)原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p3
(2)A元素的原子價(jià)電子排布為ns2np2,B元素的最外層電子數(shù)是其電子層數(shù)的3倍,C元素原子的M電子層p亞層中有3個(gè)未成對(duì)電子,D元素原子核外的M層中只有2對(duì)成對(duì)電子.
①當(dāng)n=2時(shí),AB2屬于非極性分子(填“極性”或“非極性”).
②若A元素的原子價(jià)電子排布為3s23p2,A、C、D三種元素的第一電離能由大到小的順序是P>S>Si(用元素符號(hào)表示)
(3)CaO晶胞如右圖所示其中Ca2+的配位數(shù)為6,CaO晶體和NaCl晶體的離子排布方式相同,CaO晶體的熔點(diǎn)高于NaCl晶體的熔點(diǎn)的主要原因是結(jié)構(gòu)相似,離子核間距離相近的情況下,CaO中的離子所帶電荷更多,作用力更強(qiáng),熔點(diǎn)更高.

分析 (1)依據(jù)題干信息“AlN的晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似”,根據(jù)晶體硅的結(jié)構(gòu)分析;與N元素同主族的元素As位于元素周期表的第四周期,其原子序數(shù)為33,核外有33個(gè)電子最外層電子數(shù)為5;
(2)A、B、C、D為前四周期元素,B元素的最外層電子數(shù)是其電子層數(shù)的3倍,最外層電子數(shù)不超過8個(gè),所以B元素為O元素,C元素原子的M電子層的P亞層中有3個(gè)未成對(duì)電子,則C是P元素,D元素原子核外的N層中只有2對(duì)成對(duì)電子,則D的核外電子排布式為:1s22s22p63s23p4,則D是S元素;
①當(dāng)n=2時(shí),A是C元素,則AB2是CO2,根據(jù)二氧化碳分子正負(fù)電荷重心是否重合判斷;
②若A元素的原子價(jià)電子排布為3s23p2,則A為Si元素,同周期從左到右第一電離能增大,但是第VA與第VIA族反常;
(3)以鈣離子為中心,沿X、Y、Z三軸進(jìn)行切割,從而確定鈣離子配位數(shù);離子晶體的離子半徑越小,電荷越多,晶格能越大,熔點(diǎn)越高.

解答 解:(1)依據(jù)題干信息“AlN的晶體結(jié)構(gòu)與單晶硅相似”,晶體硅中每個(gè)Si原子形成4個(gè)共價(jià)鍵,與其它4個(gè)硅原子相連,則每個(gè)Al原子與4個(gè)N原子相連;與N元素同主族的元素As位于元素周期表的第四周期,其原子序數(shù)為33,核外有33個(gè)電子最外層電子數(shù)為5,其基態(tài)原子的核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p3;
故答案為:4;1s22s22p63s23p63d104s24p3;
(2)A、B、C、D為前四周期元素,B元素的最外層電子數(shù)是其電子層數(shù)的3倍,最外層電子數(shù)不超過8個(gè),所以B元素為O元素,C元素原子的M電子層的P亞層中有3個(gè)未成對(duì)電子,則C是P元素,D元素原子核外的N層中只有2對(duì)成對(duì)電子,則D的核外電子排布式為:1s22s22p63s23p4,則D是S元素;
①當(dāng)n=2時(shí),A是C元素,則AB2是CO2,二氧化碳是直線型結(jié)構(gòu),正負(fù)電荷重心重合,所以是非極性分子,
故答案為:非極性;
②若A元素的原子價(jià)電子排布為3s23p2,則A為Si元素,同周期從左到右第一電離能增大,但是第VA與第VIA族反常,則第一電離能:P>S>Si;
故答案為:P>S>Si;
(3)以鈣離子為中心,沿X、Y、Z三軸進(jìn)行切割,結(jié)合圖片知,鈣離子的配位數(shù)是6;離子晶體的離子半徑越小,電荷越多,晶格能越大,熔點(diǎn)越高,結(jié)構(gòu)相似,離子核間距離相近的情況下,CaO中的離子所帶電荷更多,作用力更強(qiáng),熔點(diǎn)更高;
故答案為:6;結(jié)構(gòu)相似,離子核間距離相近的情況下,CaO中的離子所帶電荷更多,作用力更強(qiáng),熔點(diǎn)更高.

點(diǎn)評(píng) 本題主要考查了電子排布式、原子結(jié)構(gòu)、第一電離能、晶胞的計(jì)算等知識(shí),解題關(guān)鍵是要熟練掌握元素周期律和周期表推元素的種類,題目難度中等,注意把握離子晶體熔沸點(diǎn)比較方法.

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