17.I.氫能的存儲(chǔ)是氫能應(yīng)用的主要瓶頸,配位氫化物、富氫載體化合物是目前所采用的主要儲(chǔ)氫材料.
(1)Ti(BH42是一種過(guò)渡元素硼氫化物儲(chǔ)氫材料.在基態(tài)Ti2+中,電子占據(jù)的最高能層符號(hào)為
M,該能層具有的原子軌道數(shù)為9.
(2)液氨是富氫物質(zhì),是氫能的理想載體,利用N2+3H2?2NH3實(shí)現(xiàn)儲(chǔ)氫和輸氫.下列說(shuō)法正確的是cd (填序號(hào)).
a.NH3分子中氮原子的軌道雜化方式為sp2雜化
b.NH4+與PH4+、CH4、BH4-、C1O4-互為等電子體
c.相同壓強(qiáng)時(shí),NH3的沸點(diǎn)比PH3的沸點(diǎn)高    
d.[Cu(NH34]2+中N原子是配位原子
(3)已知NF3與NH3的空間構(gòu)型相同,但NF3不易與Cu2+形成配離子,其原因是N、F、H三種元素的電負(fù)性為F>N>H,在NF3中,共用電子對(duì)偏向F,偏離N原子,使得氮原子上的孤電子對(duì)難于與Cu2+形成配位鍵.
Ⅱ.氯化鈉是生活中的常用調(diào)味品,也是結(jié)構(gòu)化學(xué)中研究離子晶體時(shí)常用的代表物,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示.
(1)設(shè)氯化鈉晶體中Na+與跟它最近鄰的Cl-之間的距離為r,則與該Na+次近鄰的Cl-的個(gè)數(shù)為8,該Na+與跟它次近鄰的Cl-之間的距離為$\sqrt{3}$r.
(2)已知在氯化鈉晶體中Na+的半徑為a pm,Cl-的半徑為b pm,它們?cè)诰w中是緊密接觸的,則在氯化鈉晶體中離子的空間利用率為$\frac{2π}{3}$×$\frac{{a}^{3}+^{3}}{(a+b)^{3}}$.

分析 I.(1)寫出Ti2+核外電子排布式,判斷其最高能層和該能層下的原子軌道數(shù);
(2)a.根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論確定雜化方式;
b.等電子體為原子數(shù)相等和價(jià)電子數(shù)相等的原子團(tuán);
c.分子間存在氫鍵的熔沸點(diǎn)高;
d.提供孤電子對(duì)的原子是配原子;
(3)根據(jù)配合物結(jié)構(gòu)判斷,Cu2+提供空軌道,NH3和NF3中中心原子N原子提供孤電子對(duì),根據(jù)NH3和NF3中共用電子對(duì)的偏轉(zhuǎn)判斷;
Ⅱ.(1)根據(jù)NaCl晶體結(jié)構(gòu)判斷:Na+位于頂點(diǎn)與它次近鄰的Cl-位于晶胞的體心位置,據(jù)此判斷次近鄰的Cl-數(shù)目和距離;
(2)NaCl晶胞為面心立方密堆積,則晶胞的邊長(zhǎng)為(2a+2b)pm,計(jì)算出Na+和Cl-所占體積和晶胞體積,從而計(jì)算出空間利用率;

解答 解:I.(1)基態(tài)Ti2+價(jià)電子排布式為:3d2,最高能層為M層,該能層下含有1個(gè)3s軌道、3個(gè)3p軌道和5個(gè)3d軌道,共有9個(gè)原子軌道,
故答案為:M;9;
(2)a.NH3分子中N原子含有3個(gè)共用電子對(duì)和一個(gè)孤電子對(duì),所以其價(jià)層電子對(duì)是4,采用sp3雜化,故a錯(cuò)誤;
b.等電子體為原子數(shù)相等和價(jià)電子數(shù)相等的原子團(tuán),NH+4與PH+4、CH4、BH-4均含有5個(gè)原子團(tuán),且價(jià)電子均為8,為等電子體,而ClO-4價(jià)電子數(shù)為32,不屬于等電子體,故b錯(cuò)誤;
c.分子間存在氫鍵的熔沸點(diǎn)高,相同壓強(qiáng)時(shí),氨氣中含有氫鍵,PH3中不含氫鍵,所以NH3沸點(diǎn)比PH3高,故c正確;
d.提供孤電子對(duì)的原子是配原子,[Cu(NH34]2+離子中,N原子提供孤對(duì)電子,N原子為配原子,故d正確;
故答案為:cd;
(3)根據(jù)配合物結(jié)構(gòu)判斷,Cu2+提供空軌道,NH3和NF3中中心原子N原子提供孤電子對(duì),由于N、F、H三種元素的電負(fù)性為F>N>H,在NF3中,共用電子對(duì)偏向F,偏離N原子,使得氮原子上的孤電子對(duì)難于與Cu2+形成配位鍵,
故答案為:N、F、H三種元素的電負(fù)性為F>N>H,在NF3中,共用電子對(duì)偏向F,偏離N原子,使得氮原子上的孤電子對(duì)難于與Cu2+形成配位鍵;
Ⅱ.(1)Na+位于頂點(diǎn),被8個(gè)晶胞共有,即Na+與跟它次近鄰的Cl-個(gè)數(shù)為8;Na+與跟它次近鄰的Cl-之間的距離為晶胞體對(duì)角線的一半,距離為$\sqrt{3}$r,
故答案為:8;$\sqrt{3}$r;
(2)晶胞中共含有4個(gè)Na+和4個(gè)Cl-,體積為:$\frac{4}{3}$π(a3+b3)×4,晶胞的邊長(zhǎng)為a+b,晶胞體積為(2a+2b)3,氯化鈉晶體中離子的空間利用率為$\frac{\frac{4}{3}π(a{\;}^{3}+^{3})×4}{(2a+2b){\;}^{3}}$=$\frac{2π}{3}$×$\frac{{a}^{3}+^{3}}{(a+b)^{3}}$,
故答案為:$\frac{2π}{3}$×$\frac{{a}^{3}+^{3}}{(a+b)^{3}}$;

點(diǎn)評(píng) 本題考查物質(zhì)結(jié)構(gòu)和性質(zhì),涉及核外電子排布、雜化方式的判斷、晶胞的計(jì)算等知識(shí)點(diǎn),注意[Cu(NH34]2+離子的中心原子是提供空軌道的原子,題目難度中等.晶體密度的計(jì)算解題時(shí)注意均攤法,運(yùn)用和基本計(jì)算公式的運(yùn)用.

練習(xí)冊(cè)系列答案
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②過(guò)量的氫氣與少量的氮?dú)庠诖呋瘎┐嬖谙鲁浞址磻?yīng)
③過(guò)量的MnO2與濃鹽酸反應(yīng)
④過(guò)量銅與濃硫酸反應(yīng)
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⑥過(guò)量的水與一定量的氯氣反應(yīng);
⑦常溫下,過(guò)量的濃硫酸與鋁反應(yīng).
A.②③④⑥⑦B.②③⑤⑦C.①③⑦D.①②③④⑥

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