19.已知A、B、C、D、E五種元素的原子序數(shù)依次增大,其中A原子所處的周期數(shù)、族序數(shù)都與其原子序數(shù)相等;B原子核外電子有6種不同的運(yùn)動(dòng)狀態(tài),s軌道電子數(shù)是p軌道電子數(shù)的兩倍;D原子L電子層上有2對(duì)成對(duì)電子;E+原子核外有3層電子且各層均處于全滿狀態(tài).
(1)E元素基態(tài)原子的價(jià)電子排布式為3d104s1
(2)B、C、D三種元素的第一電離能數(shù)值由小到大的順序?yàn)镃<O<N(填元素符號(hào)),電負(fù)性數(shù)值由大到小的順序?yàn)镺>N>C(填元素符號(hào)).
(3)B元素的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物中心原子采取的軌道雜化方式為sp2,C元素的氣態(tài)氫化物的VSEPR模型為四面體.B2A4是重要的基本石油化工原料,1mol B2A4分子中含5mol σ鍵.寫出與BD2為等電子體關(guān)系的分子、陽離子、陰離子各一個(gè)CS2、NO2+、SCN-或N3-
(4)E單質(zhì)晶胞的形成方式為圖1中的哪一種:ABC(填A(yù)BA或ABC),其空間利用率為74%.

(5)E的硫酸鹽結(jié)構(gòu)如圖2,此化合物是五水硫酸銅(寫名稱),在圖中畫出以E為中心原子的配位鍵.

分析 A、B、C、D、E五種元素的原子序數(shù)依次增大,A原子所處的周期數(shù)、族序數(shù)都與其原子序數(shù)相等,則A為H元素;B原子核外電子有6種不同的運(yùn)動(dòng)狀態(tài),s軌道電子數(shù)是p軌道電子數(shù)的兩倍,則B原子核外有6個(gè)電子,則B為C元素;D原子L層上有2對(duì)成對(duì)電子,則D原子電子排布式為1s22s22p4,所以D為O元素;C的原子序數(shù)介于碳、氧元素之間,則C為N元素;E+原子核外有3層電子且各層均處于全滿狀態(tài),則E原子核外電子數(shù)為2+8+18+1=29,則E為Cu元素,據(jù)此進(jìn)行解答.

解答 解:A、B、C、D、E五種元素的原子序數(shù)依次增大,A原子所處的周期數(shù)、族序數(shù)都與其原子序數(shù)相等,則A為H元素;B原子核外電子有6種不同的運(yùn)動(dòng)狀態(tài),s軌道電子數(shù)是p軌道電子數(shù)的兩倍,則B原子核外有6個(gè)電子,則B為C元素;D原子L層上有2對(duì)成對(duì)電子,則D原子電子排布式為1s22s22p4,所以D為O元素;C的原子序數(shù)介于碳、氧元素之間,則C為N元素;E+原子核外有3層電子且各層均處于全滿狀態(tài),則E原子核外電子數(shù)為2+8+18+1=29,則E為Cu元素,
(1)E為Cu元素,基態(tài)原子的核外電子排布式為:1s22s22p63s23p63d104s1,則其基態(tài)原子的價(jià)電子排布式為:3d104s1,
故答案為:3d104s1;
(2)同周期,隨原子序數(shù)增大元素第一電離能呈增大趨勢,但氮元素2p能級(jí)為半滿穩(wěn)定狀態(tài),能量較低,失去第一個(gè)電子需要的能量較多,其第一電離能高于同周期相鄰元素,故C、N、O三種元素的第一電離能數(shù)值由小到大的順序?yàn)镃<O<N;
非金屬性越強(qiáng),其電負(fù)性越強(qiáng),非金屬性:O>N>C,則C、N、O三種元素的電負(fù)性大小為:O>N>C,
故答案為:C<O<N;O>N>C;
(3)B元素的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物是碳酸,碳酸中中心原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)是3且不含孤電子對(duì),根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論知,C原子雜化方式為sp2;
C為N元素,其氫化物是NH3,氨氣分子中N原子價(jià)層電子對(duì)個(gè)數(shù)是4且含有1個(gè)孤電子對(duì),VSEPR模型為四面體結(jié)構(gòu);
1個(gè)C2H4分子中含有5個(gè)σ鍵,1個(gè)1個(gè)π鍵,則lmolC2H4分子中含有5molσ鍵;
與CO2互為等電子體的分子、離子中含有3個(gè)原子,16個(gè)價(jià)電子,所以其等電子體的分子、陽離子、陰離子的化學(xué)式依次為:CS2、NO2+、SCN-或N3-,
故答案為:sp2;四面體; 5;CS2;NO2+;SCN-或N3-;
(4)E為銅元素,Cu為面心六方密堆積,為ABC型方式堆積,其其空間利用率為74%,
故答案為:ABC;74%;
(5)該鹽為硫酸銅,根據(jù)圖2可知,該化合物分子中含有5個(gè)結(jié)晶水分子,為無水硫酸銅;該配合物中,銅原子提供空軌道,水中氧原子提供孤電子對(duì),配位鍵由提供孤電子對(duì)的原子指向提供空軌道的原子,所以以Cu為中心原子的配位鍵為:,
故答案為:五水硫酸銅;

點(diǎn)評(píng) 本題考查較為綜合,涉及晶胞計(jì)算、原子核外電子排布、配位鍵、原子軌道雜化方式及類型、原子結(jié)構(gòu)與元素周期律的應(yīng)用等知識(shí),題目難度中等,推斷元素為解答關(guān)鍵,試題知識(shí)點(diǎn)較多、綜合性較強(qiáng),充分考查了學(xué)生的分析、理解能力及靈活應(yīng)用能力.

練習(xí)冊(cè)系列答案
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9.銅、鎵、硒、硅等元素的化合物是生產(chǎn)第三代太陽能電池的重要材料.請(qǐng)回答:
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(2)硒、硅均能與氫元素形成氣態(tài)氫化物,則它們形成的組成最簡單的氫化物中,分子構(gòu)型分別為V形、正四面體,若“Si-H”中共用電子對(duì)偏向氫元素,氫氣與硒反應(yīng)時(shí)單質(zhì)硒是氧化劑,則硒與硅的電負(fù)性相對(duì)大小為Se>Si(填“>”、“<”).
(3)SeO2常溫下白色晶體,熔點(diǎn)為340~350℃,315℃時(shí)升華,則SeO2固體的晶體類型為分子晶體;若SeO2類似于SO2是V型分子,則Se原子外層軌道的雜化類型為sp2
(4)與鎵元素處于同一主族的硼元素具有缺電子性(價(jià)電子數(shù)少于價(jià)層軌道數(shù)),其化合物可與具有孤對(duì)電子的分子或離子生成配合物,如BF3能與NH3反應(yīng)生成BF3•NH3.BF3•NH3中B原子的雜化軌道類型為sp3,B與N之間形成配位鍵.
(5)金剛砂(SiC)的硬度為9.5,其晶胞結(jié)構(gòu)如右圖所示;則金剛砂晶體類型為原子晶體,在SiC中,每個(gè)C原子周圍最近的C原子數(shù)目為12個(gè);若晶胞的邊長為a pm,則金剛砂的密度表達(dá)式為$\frac{4×40}{{N}_{A}×(a×1{0}^{-10})^{3}}$g/cm3

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10.鋁制器具不能用來盛放醋、酸梅湯和堿水等物質(zhì).如果盛放這些物質(zhì)的話,鋁制器具就容易被腐蝕.由此說明鋁制器表面存在的是兩性 氧化物.

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7.設(shè) N A為阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值,下列說法錯(cuò)誤的是( 。
A.已知 N2(g)+3H2 (g)═2NH3(g)△H=-92.4 kJ•mol-1,當(dāng)有 1molNH3時(shí),上述反應(yīng)的△H 變?yōu)?46.2 kJ•mol-1
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C.由 8.0gCH3COONa 和少量 CH3COOH 形成的中性溶液中,CH3COO-數(shù)目為0.1NA
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(1)Q+核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d10;
(2)化合物X2W2中W的雜化方式為sp3,ZW2-離子的立體構(gòu)型是V形;
(3)Y、R的最高價(jià)氧化物的沸點(diǎn)較高的是SiO2(填化學(xué)式),原因是SiO2為原子晶體,CO2為分子晶體;
(4)將Q單質(zhì)的粉末加入到ZX3的濃溶液中,并通入W2,充分反應(yīng)后溶液呈深藍(lán)色,該反應(yīng)的離子方程式為2Cu+8NH3+O2+2H2O=2[Cu(NH34]2++4OH-;
(5)Y有多種同素異形體,其中一種同素異形體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖,該晶體一個(gè)晶胞的Y原子數(shù)為8,Y原子的配位數(shù)為4,若晶胞的邊長為a pm,晶體的密度為ρ g/cm3,則阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值為$\frac{{96×{{10}^{30}}}}{{{a^3}•ρ}}$(用含a和ρ的代數(shù)式表示).

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4.下列指定反應(yīng)的離子方程式正確的是( 。
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D.Cu溶于稀硝酸HNO3:Cu+2H++NO3-═Cu2++NO↑+H2O

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