Question

20．針對下面幾種元素，完成以下各小題．

周期	ⅠA	ⅡA	ⅢA	ⅣA	ⅤA	ⅥA	ⅦA	0
2				C	N	O		Ne
3	Na	Mg	Al	Si		S	Cl

（1）C、N、O、Si四種元素電負(fù)性從小到大排列?硅＜碳＜氮＜氧（填名稱）．
（2）Na、Mg、Al三種元素第一電離能從大到小排列?Mg＞Al＞Na（填符號）．
（3）Al的電子排布式為?1s²2s²2p⁶3s²3p¹?．N的外圍電子排布式?2s²2p³．
（4）S和O的氫化物相比，沸點較高的是?H₂O?（填化學(xué)式），原因是?水分子之間存在氫鍵．
（5）干冰的電子式為?，結(jié)構(gòu)式為?O=C=O?，其分子內(nèi)σ鍵與π鍵的個數(shù)比為?1：1，其晶體類型為分子晶體．
（6）工業(yè)上以N₂和H₂為原料，在高溫、高壓和催化劑存在的條件下制備NH₃，請寫出其逆反應(yīng)的熱化學(xué)方程式：?2NH₃（g）?N₂（g）+3H₂（g）△H=+92kJ•mol^-1．（其中N≡N鍵、N-H鍵、H-H的鍵能分別為946kJ•mol^-1、391kJ•mol^-1、436kJ•mol^-1）
（7）26號元素的外圍電子排布式為?3d⁶4s²，其+3價陽離子的外圍電子的軌道表示式為?．

Answer 1

分析 （1）同周期主族元素自左而右電負(fù)性增大、同主族自上而下電負(fù)性減小；
（2）同周期主族元素自左而右第一電離能呈增大趨勢，Mg元素原子3s能級容納2個電子，為全滿穩(wěn)定狀態(tài)，能量較低，第一電離能高于同周期相鄰元素；
（3）根據(jù)核外電子排布規(guī)律書寫；
（4）水分子之間存在氫鍵，沸點高于硫化氫；
（5）二氧化碳分子中碳原子與氧原子之間形成2對共用電子對，雙鍵中含有1個σ鍵、1個π鍵，干冰屬于分子晶體；
（6）反應(yīng)熱=反應(yīng)物總鍵能-生成總鍵能，據(jù)此計算反應(yīng)熱書寫熱化學(xué)方程式；
（7）根據(jù)核外電子排布規(guī)律書寫外圍電子排布式，F(xiàn)e失去4s能級2個電子及3d能級1個電子形成+3價陽離子．

解答 解：（1）同周期主族元素自左而右電負(fù)性增大、同主族自上而下電負(fù)性減小，故電負(fù)性：Si＜C＜N＜O，
故答案為：硅＜碳＜氮＜氧；
（2）同周期主族元素自左而右第一電離能呈增大趨勢，Mg元素原子3s能級容納2個電子，為全滿穩(wěn)定狀態(tài)，能量較低，第一電離能高于同周期相鄰元素，故第一電離能Mg＞Al＞Na，
故答案為：Mg＞Al＞Na；
（3）Al元素核外電子排布式為1s²2s²2p⁶3s²3p¹，N的外圍電子排布式為2s²2p³，
故答案為：1s²2s²2p⁶3s²3p¹；2s²2p³；
（4）水分子之間存在氫鍵，沸點高于硫化氫，
故答案為：H₂O；水分子之間存在氫鍵；
（5）二氧化碳分子中碳原子與氧原子之間形成2對共用電子對，電子式為，結(jié)構(gòu)式為O=C=O，雙鍵中含有1個σ鍵、1個π鍵，分子內(nèi)σ鍵與π鍵的個數(shù)比為1：1，干冰屬于分子晶體，
故答案為：；O=C=O；1：1；分子晶體；
（6）合成氨逆反應(yīng)為：2NH₃?N₂+3H₂，反應(yīng)熱△H=6×391kJ•mol^-1-946kJ•mol^-1-3×436kJ•mol^-1=104kJ•mol^-1，熱化學(xué)方程式為：2NH₃（g）?N₂（g）+3H₂（g）△H=+92kJ•mol^-1，
故答案為：2NH₃（g）?N₂（g）+3H₂（g）△H=+92kJ•mol^-1；
（7）26號元素的核外電子排布為1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁶4s²，外圍電子排布式為3d⁶4s²?，F(xiàn)e失去4s能級2個電子及3d能級1個電子形成+3價陽離子，外圍電子排布為3d⁵，軌道排布圖為，
故答案為：3d⁶4s²；．

點評 本題考查元素周期律、核外電子排布、氫鍵、電子式、熱化學(xué)方程式書寫等，旨在考查學(xué)生對基礎(chǔ)知識的掌握，注意同周期第一電離能異常情況．