下列結(jié)論不正確的是
A粒子半徑:S>S2>Cl
B氫化物沸點:H2O>HF>HCl
C結(jié)合質(zhì)子能力:OH>SiO>CO
D離子還原性:S2>I>Br
A
粒子半徑S小于它的離子,A錯;O、F元素的電負(fù)性較強(qiáng),對應(yīng)的氫化物含有氫鍵,由于水中氫鍵數(shù)目較多,且氫鍵作用力原大于分子間作用力,則有氫化物沸點:H2O>HF>HCl,B正確;水顯中性、酸性硅酸小于碳酸,因而結(jié)合質(zhì)子能力C選項正確;非金屬性越強(qiáng),其陰離子的還原性越弱,D正確。
練習(xí)冊系列答案
相關(guān)習(xí)題

科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

X和Y兩種元素的核電荷數(shù)之和為22,X的原子核外電子數(shù)比Y的少6個。下列說法中不正確的是(  )
A.X的單質(zhì)固態(tài)時為分子晶體B.Y的單質(zhì)可以形成原子晶體
C.X與Y形成的化合物固態(tài)時為分子晶體D.X與碳形成的化合物為分子晶體

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

(12分)【化學(xué)—物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
已知:G、Q、R、T、X、Y、Z都是周期表中前四周期的元素,它們的核電荷數(shù)依次增大。G的簡單陰離子最外層有2個電子,Q原子最外層電子數(shù)是內(nèi)層電子數(shù)的兩倍,X元素最外層電子數(shù)與最內(nèi)層電子數(shù)相同;T2R的晶體類型是離子晶體,Y原子基態(tài)3p原子軌道上有2個未成對電子,其單質(zhì)晶體類型屬于分子晶體;在元素周期表中Z元素位于第11列。
回答下列問題:
(1)Z+的核外外圍電子排布式是_________________________________________________。
(2)X以及與X左右相鄰的兩種元素,其第一電離能由由大到小的順序為____________(填元素符號)。
(3)Q元素最高價氧化物的水化物分子中,Q原子采取________雜化,寫出與QR2互為等電子體的一種分子的化學(xué)式:____________________。
(4)分子式為G 2R、G 2Y的兩種物質(zhì)中一種更穩(wěn)定,原因是________________________;Q的氯化物、T的氯化物、X的氯化物的熔點由低到高的順序是___(填化學(xué)式)。
(5)據(jù)報道,由Q、X、Z三種元素形成的一種晶體具有超導(dǎo)性,其晶體結(jié)構(gòu)如下圖所示。晶體中距每個X原子周圍距離最近的Q原子有             

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

據(jù)報道,N4是一種形似白磷的分子,18O2是比黃金還貴重的物質(zhì)。下列說法正確的是
A.18O216O2性質(zhì)完全相同 B.N4=2N2是化學(xué)變化
C.N4和N2互為同位素   D.18O2中含18個中子

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

有M、X、Y、Z、W五種原子序數(shù)依次增大的短周期元素,其中M、Z同主族;X與M2具有相同的電子層結(jié)構(gòu);離子半徑:Z2>W(wǎng);Y的單質(zhì)晶體熔點高、硬度大,是一種重要的半導(dǎo)體材料。下列說法正確的是
A.X、M兩種元素形成的化合物只能存在離子鍵
B.元素Y、Z、W形成的單質(zhì)中,每1 mol它們的單質(zhì)均含有NA個分子
C.由于W、Z、M元素的氫化物相對分子質(zhì)量依次減小,所以其沸點依次降低
D.元素W和M的某些單質(zhì)可作為水處理中的消毒劑

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:問答題

分)【化學(xué)選修
A-I為原子序數(shù)遞增的前4周期的元素,已知A原子的最外層電子是次外層電子數(shù)的2倍,D為周期表中電負(fù)性最大的元素,F(xiàn)與C位于同一主族,E與G在周期表的位置是上下相連,兩元素所在主族中所有元素都是金屬,H為應(yīng)用最廣泛的金屬;I處于周期表中的第二副族。請回答下列問題:(以下問題中的所有原子都必須在上述元素中尋找)
(1)B單質(zhì)分子中 鍵數(shù)目比為____。B、C、D第一電離能由小到大的順序為__________(填寫元素符號)。
(2)H元素原子的價層電子排布式為____,H3
子可以與上述元素中的三種形成的某陰離子生成血紅色
絡(luò)合物;該陰離子又與A-I元素中的某些原子形成的分
子互為等電子體,這種分子的化學(xué)式為____(寫一種即
可).該陰離子空間構(gòu)型為____。
(3)D與G可以形成下圖的晶胞,則黑點表示的是元素____(填寫元素符號),該元素原子在該晶胞中的配位數(shù)為____.

(4)若將上述晶胞圓圈對應(yīng)的原子所在上下兩層平面原子,按兩條相互垂直的對角線上各去掉該原子2個(共去掉4個),并將小點和圓圈對應(yīng)的原子更改為另外兩種元素的原子,則這個晶胞化學(xué)式為____,若再將留下的所有原子換成另外一種新元素的原子,成為另外一種晶胞,該成鍵原子鍵角為    ;(5)已知,F(xiàn)單質(zhì)晶體的原子堆積為ABAB型,那么,該晶體的空間利用率為____。如果F單質(zhì)的摩爾質(zhì)量為M,晶胞棱長為a,晶胞高度為c則,該晶體密度表達(dá)式為____。(阿伏加德羅常數(shù)用表示,不化簡)如果F的原子半徑為R,用R表示的晶胞高度為____。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:填空題

【物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)】
以氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體材料目前已成為全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點。回答下列問題:
(1)鎵為元素周期表第31號元素,鎵原子價層電子排布圖為___________。
(2)氮所在主族中第一電離能最大的元素是________(填元素符號,下同),鎵所在主族中電負(fù)性最大的元素是____________________。
(3)傳統(tǒng)的氮化鎵制備方法是采用GaCl3與NH3在一定條件下反應(yīng),該反應(yīng)的化學(xué)方程式為______________。
(4)氮化鎵與金剛石具有相似的晶體結(jié)構(gòu),氮化鎵中氮原子與鎵原子之間以____相結(jié)合,氮化鎵屬于_______晶體。
(5)下圖是氮化鎵的晶胞模型:
 
①氮化鎵中鎵原子的雜化方式為__________,氮原子的配位數(shù)為___________。
②氮化鎵為立方晶胞,氮化鎵的密度為d g/cm3。列出計算氮化鎵晶胞邊長a的表達(dá)式:a=_______cm。

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

下圖是部分短周期元素化合價與原子序數(shù)的關(guān)系圖,下列說法正確的是
A.原子半徑:Z>Y>X
B.氣態(tài)氫化物的還原性:W>R
C.WX3和水反應(yīng)形成的化合物是離子化合物
D.含Z的鹽溶液一定顯示酸性

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科目:高中化學(xué) 來源:不詳 題型:單選題

a、b、c、d、e五種短周期主族元素,在元素周期表中的相對位置如下表。b與d可以形成兩種常見的化合物,下列說法錯誤的是
 
 
a
b
 
c
 
 
d
e
A.元素c的氧化物具有兩性 
B.原子半徑的大小順序為:a>b>c>d>e
C.b元素在地殼中的含量居第一位 
D.元素d的非金屬性小于e

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