制太陽(yáng)能電池需要高純硅，工業(yè)上用粗硅制高純硅可通過(guò)以下反應(yīng)實(shí)現(xiàn)：①Si(粗)+3HCl(g)SiHCl₃(g) + H₂、  ②SiHCl₃ (g) + H₂ Si(純) + 3HCl(g)

對(duì)上述兩個(gè)反應(yīng)的敘述錯(cuò)誤的是

A．兩個(gè)反應(yīng)互為可逆反應(yīng)             B．都是置換反應(yīng)

C．都是氧化還原反應(yīng)                 D．都不是離子反應(yīng)

下列各組順序的排列不正確的是

A．離子半徑：Na^＋＞Mg^2＋＞Al^3＋＞F^—            B．熱穩(wěn)定性：HCl＞H₂S＞PH₃

C．酸性強(qiáng)弱：Al(OH)₃＜H₂SiO₃＜H₂CO₃＜H₃PO₄  D．熔點(diǎn)：SiO₂＞NaCl＞Na＞CO₂

4NH₃（ｇ）＋5O₂（ｇ） 4NO（ｇ）＋6H₂O（ｇ）在10 L密閉容器中進(jìn)行，10s后，水蒸氣的物質(zhì)的量增加了0.60 mol，則此反應(yīng)的平均速率(X)(反應(yīng)物的消耗速率或產(chǎn)物的生成速率)可表示為

A．（NH₃）＝0.0060  mol/（Ｌ·ｓ）  B．（NO）＝0.0040 mol/（Ｌ·ｓ）

C．（O₂）＝0.0060 mol/（Ｌ·ｓ）       D．（H₂O）＝0.036 mol/(Ｌ.min)

幾種短周期元素的原子半徑及主要化合價(jià)如下表

下列說(shuō)法正確的是

A． L、T形成的簡(jiǎn)單離子核外電子數(shù)相等     B．R的氧化物對(duì)應(yīng)的水化物呈強(qiáng)堿性

C．X單質(zhì)在氧氣中燃燒生成XO₃                         D．離子半徑大�。�r（M³⁺）> r（T^2-）

下列關(guān)于化學(xué)鍵的說(shuō)法中不正確的是

A．化學(xué)鍵是一種作用力

B．化學(xué)鍵可以使離子相結(jié)合，也可以使原子相結(jié)合

C．分子間作用力又稱范德華力，它屬于化學(xué)鍵

D．化學(xué)反應(yīng)過(guò)程中，反應(yīng)物分子內(nèi)的化學(xué)鍵斷裂，生成物分子中的化學(xué)鍵形成

以下現(xiàn)象與電化腐蝕無(wú)關(guān)的是                                         

A．黃銅（銅鋅合金）制作的銅鑼不易產(chǎn)生銅綠 

B．生鐵比軟鐵芯（幾乎是純鐵）容易生銹 

C．鐵質(zhì)器件附有銅質(zhì)配件，在接觸處易生鐵銹 

D．銀質(zhì)獎(jiǎng)牌久置后表面變暗

下列化學(xué)用語(yǔ)或模型正確的是

A．氯化氫的電子式：          B． 8個(gè)中子的碳原子：¹²C

C．硫離子結(jié)構(gòu)示意圖：                    D．CH₄分子的比例模型：

下列各組物質(zhì)的晶體中，化學(xué)鍵類型相同、晶體類型也相同的是

A．SO₂和SiO₂     B．CO₂和H₂    C．NaCl和HCl      D．CCl₄和KCl

下列物質(zhì)中，既有離子鍵，又有共價(jià)鍵的是

A．CaCl₂         B．Na₂O        C．H₂O       D．NH₄Cl

下列反應(yīng)屬于放熱反應(yīng)的是

A．氫氧化鋇晶體和氯化銨晶體的反應(yīng)

B．能量變化如右圖所示的反應(yīng)

C．化學(xué)鍵斷裂吸收的熱量比化學(xué)鍵生成放出的熱量多的反應(yīng)

D．燃燒反應(yīng)和中和反應(yīng)