A. | 負(fù)點(diǎn)電荷一定位于N點(diǎn)右側(cè) | |
B. | a點(diǎn)的電勢(shì)高于b點(diǎn)的電勢(shì) | |
C. | 粒子在a點(diǎn)的電勢(shì)能小于在b點(diǎn)的電勢(shì)能 | |
D. | 粒子在a點(diǎn)的加速度大小小于在b點(diǎn)的加速度大小 |
分析 解答本題的突破口是根據(jù)粒子的運(yùn)動(dòng)軌跡確定其所受電場(chǎng)力方向,從而確定電場(chǎng)線MN的方向以及負(fù)點(diǎn)電荷的位置,然后根據(jù)負(fù)點(diǎn)電荷周圍電場(chǎng)分布情況,進(jìn)一步解答.
解答 解:A、由于該粒子只受電場(chǎng)力作用且做曲線運(yùn)動(dòng),電場(chǎng)力指向軌跡內(nèi)側(cè),電場(chǎng)力方向大致向左,電場(chǎng)線由N指向M,則負(fù)點(diǎn)電荷一定位于M點(diǎn)左側(cè),故A錯(cuò)誤.
B、離負(fù)點(diǎn)電荷越近,電勢(shì)越低,則a點(diǎn)的電勢(shì)高于b點(diǎn)的電勢(shì),故B正確.
C、粒子從a到b,電場(chǎng)力對(duì)帶電粒子做正功,電勢(shì)能減小,則帶電粒子在a點(diǎn)的電勢(shì)能大于在b點(diǎn)的電勢(shì)能,故C錯(cuò)誤;
D、a點(diǎn)離點(diǎn)電荷較遠(yuǎn),a點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度小于b點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度,根據(jù)牛頓第二定律得知,帶電粒子在a點(diǎn)的加速度小于在b點(diǎn)的加速度,故D正確;
故選:BD.
點(diǎn)評(píng) 依據(jù)帶電粒子的運(yùn)動(dòng)軌跡確定其所受電場(chǎng)力方向是解決帶電粒子在電場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)問題的突破口,然后可進(jìn)一步根據(jù)電場(chǎng)線、電場(chǎng)力做功等情況確定電勢(shì)、電勢(shì)能的高低變化情況.
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | V1是瞬時(shí)速度,V2是平均速度 | B. | V1是平均速度,V2是瞬時(shí)速度 | ||
C. | V1,V2都是瞬時(shí)速度 | D. | V1,V2都是平均速度 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 乙線圈也剛好能滑離磁場(chǎng) | |
B. | 兩線圈進(jìn)入磁場(chǎng)過程中通過導(dǎo)線橫截面積電量相同 | |
C. | 兩線圈完全進(jìn)入磁場(chǎng)后的動(dòng)能相同 | |
D. | 甲線圈進(jìn)入磁場(chǎng)過程中產(chǎn)生熱量Q1與乙線圈進(jìn)入磁場(chǎng)過程中產(chǎn)生熱量Q2之比為$\frac{Q_1}{Q_2}=\frac{1}{3}$ |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 當(dāng)電源的電壓加在起輝器兩端時(shí),氖氣放電發(fā)出輝光并產(chǎn)生熱量,導(dǎo)致雙金屬片受熱膨脹 | |
B. | 當(dāng)電源的電壓加在啟動(dòng)器兩極后,動(dòng)、靜觸片間輝光放電,受熱膨脹兩觸片接觸而不分 | |
C. | 起輝器中U形動(dòng)觸片是由單金屬片制成 | |
D. | 當(dāng)動(dòng)、靜兩觸片接觸后,氖氣停止放電、溫度降低,兩觸片分離 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | ![]() | B. | ![]() | C. | ![]() | D. | ![]() |
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