分析 (1)金屬桿進(jìn)入磁場前做初速度為零的勻加速直線運動,進(jìn)入磁場后做勻速直線運動,應(yīng)用平衡條件求出金屬桿進(jìn)入磁場時的速度,然后應(yīng)用牛頓第二定律與勻變速直線運動的速度公式求出金屬桿進(jìn)入磁場前的運動時間.
(2)應(yīng)用能量守恒定律可以求出金屬桿在磁場中的位移.
解答 解:(1)金屬桿進(jìn)入磁場時受到的安培力為:
FB=BIL=$\frac{{B}^{2}{L}^{2}v}{R}$,
金屬桿進(jìn)入磁場做勻速直線運動,由平衡條件得:
F=μmg+$\frac{{B}^{2}{L}^{2}v}{R}$,
金屬桿進(jìn)入磁場前,由牛頓第二定律得:
a=$\frac{F}{m}$,
進(jìn)入磁場前金屬桿做初速為零的勻加速直線運動,則有:
v=at1,
解得:t1=$\frac{m(F-μmgR)}{{B}^{2}{L}^{2}F}$;
(2)金屬桿進(jìn)入磁場撤去外力后,金屬桿的動能轉(zhuǎn)化為焦耳熱與摩擦生熱,由能量守恒定律得:
$\frac{1}{2}$mv2=Q+μmgx
解得:x=$\frac{(F-μmg)^{2}{R}^{2}}{2μg{B}^{4}{L}^{4}}$-$\frac{Q}{μmg}$;
答:(1)金屬桿從靜止開始到進(jìn)入磁場的時間t1為$\frac{m(F-μmgR)}{{B}^{2}{L}^{2}F}$;
(2)金屬桿在磁場中的位移x的大小為$\frac{(F-μmg)^{2}{R}^{2}}{2μg{B}^{4}{L}^{4}}$-$\frac{Q}{μmg}$.
點評 本題是電磁感應(yīng)與力學(xué)相結(jié)合的綜合題,分析清楚金屬桿的運動過程是解題的前提與關(guān)鍵,應(yīng)用安培力公式、平衡條件、運動學(xué)公式與能量守恒定律可以解題.
科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 溫度越高,擴(kuò)散進(jìn)行得越快 | |
B. | 擴(kuò)散現(xiàn)象是不同物質(zhì)間的一種化學(xué)反應(yīng) | |
C. | 擴(kuò)散現(xiàn)象是由物質(zhì)分子無規(guī)則運動產(chǎn)生的 | |
D. | 液體中的擴(kuò)散現(xiàn)象是由于液體的對流形成的 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 電流I1在導(dǎo)線AB右側(cè)紙面內(nèi)產(chǎn)生的磁場垂直紙面向外 | |
B. | 兩條導(dǎo)線之間的作用力屬于電場力 | |
C. | 兩條導(dǎo)線之間的作用力表現(xiàn)為吸引力 | |
D. | 若I1>I2,則導(dǎo)線AB受到的力大于導(dǎo)線CD受到的力 |
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科目:高中物理 來源: 題型:計算題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 仍沿AB方向做直線運動 | B. | 運動軌跡變?yōu)榍 | ||
C. | 可能打到金屬板上 | D. | 一定從B點左側(cè)射出電場 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 3:1 | B. | 2:1 | C. | 3:2 | D. | 1:1 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 當(dāng)桿轉(zhuǎn)到豎直位置時A球的速度$\frac{2}{3}$$\sqrt{3gL}$ | |
B. | 當(dāng)桿轉(zhuǎn)到豎直位置時B球的速度$\frac{2}{5}$$\sqrt{15gL}$ | |
C. | 從開始下落至桿轉(zhuǎn)到豎直位置的過程中桿對球A做負(fù)功 | |
D. | 從開始下落至桿轉(zhuǎn)到豎直位置的過程中桿對球B做功$\frac{1}{5}$mgL |
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科目:高中物理 來源: 題型:實驗題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 采用(甲)圖時,測量出的電阻值比真實值大 | |
B. | 采用(乙)圖時,測量出的電阻值比真實值大 | |
C. | 為了減小誤差,測量小電阻時宜采用(甲)圖 | |
D. | 為了減小誤差,測量大電阻時宜采用(乙)圖 |
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