分析 帶電粒子在勻強電場中做的是類平拋運動,利用平拋運動規(guī)律,結(jié)合電場強度、電荷的荷質(zhì)比,求出粒子的進(jìn)入磁場的速度大小與方向以及位置.當(dāng)帶電粒子進(jìn)入磁場后,僅受洛倫茲力作用,做勻速圓周運動.由微粒第一次進(jìn)入磁場后將垂直通過x軸,可尋找到已知長度與圓弧半徑的關(guān)系,從而求出磁感應(yīng)強度,當(dāng)粒子再次進(jìn)入電場時,仍是類平拋運動.利用相同方法求出離開電場的位置.
要求微粒從釋放到回到M點所用時間,畫出帶電粒子的運動軌跡,當(dāng)粒子做類平拋運動,運用平拋運動規(guī)律求出時間,當(dāng)粒子做勻速圓周運動時,由周期公式求出運動時間.
解答 解:(1)根據(jù)動能定理得:qExM=$\frac{1}{2}$mv2-0,
解得:v=$\sqrt{\frac{2qE{x}_{M}}{m}}$=1×104m/s,
因為微粒第一次進(jìn)入磁場后將垂直通過x軸,根據(jù)幾何關(guān)系知,粒子在磁場中做圓周運動的半徑R=xm,
R=xM=$\frac{mv}{qB}$,
解得:B=$\frac{mv}{q{x}_{M}}$=$\frac{1×1{0}^{4}}{2×1{0}^{4}×0.5}$=1T;
(2)粒子垂直進(jìn)入電場,做類平拋運動,
由牛頓第二定律得:a拋=$\frac{qE}{m}$=1×108m/s2,
xM=$\frac{1}{2}$a拋t拋2,
解得:t拋=10-4s,
則:y=vt拋=104×10-4=1m,
帶電微粒第二次進(jìn)入磁場時的位置坐標(biāo)為(0m,1m);
(3)第一次進(jìn)入磁場后軌跡如圖所示,入磁場時:
vM=a拋t拋=108×10-4=104m/s,
v入=$\sqrt{{v}^{2}+{v}_{x}^{2}}$=$\sqrt{2}$×104m/s,
粒子軌道半徑:R′=$\frac{m{v}_{入}}{qB}$=$\frac{1}{\sqrt{2}}$m,軌跡如圖所示,
粒子運動時間:t=2×$\frac{3}{4}$T+2t拋+$\frac{{L}_{OM}}{{v}_{入}}$=$\frac{3πm}{qB}$+2t拋+$\frac{0.5\sqrt{2}}{{v}_{入}}$,
解得:t=7.21×10-4s.
答:(1)勻強磁場的磁感應(yīng)強度為1T;
(2)帶電微粒第二次進(jìn)入磁場時的位置坐標(biāo)為(0m,1m);
(3)為了使微粒還能回到釋放點M,在微粒第二次進(jìn)入磁場后撤掉第Ⅰ象限的電場,求此情況下微粒從釋放到回到M點所用時間為7.21×10-4s.
點評 本題重點是畫出帶電粒子的運動軌跡,當(dāng)是平拋運動時,則可分解成沿電場強度方向是勻加速,垂直電場強度方向是勻速.當(dāng)是圓周運動時,可由幾何關(guān)系去找到已知長度與半徑的關(guān)系,最終能求出結(jié)果.
科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 零時刻過中性面,感應(yīng)電動勢的瞬時值表達(dá)式e=311Sin100πt V | |
B. | 每秒內(nèi),線圈經(jīng)過中性面50次 | |
C. | 若線圈匝數(shù)為100,穿過線圈的最大磁通量為0.01Wb | |
D. | 線圈從中性面轉(zhuǎn)過90度的過程中,電動勢的平均值是220V |
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 神舟八號的加速度比天宮一號的加速度大 | |
B. | 神舟八號的運行速度比天宮一號的運行速度大 | |
C. | 神舟八號的運行周期比天宮一號的運行周期長 | |
D. | 神舟八號通過加速后變軌可實現(xiàn)與天宮一號對接 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 空氣阻力大小為小球重力的$\frac{3}{4}$倍 | |
B. | 上升過程與下降過程中加速度大小之比為4:1 | |
C. | 上升過程與下降過程中合力對小球做功之比為2:1 | |
D. | 上升過程與下降過程中克服空氣阻力做功的功率之比為1:1 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 氣體自發(fā)的擴散運動總是沿著分子熱運動的無序性增大的方向進(jìn)行 | |
B. | 滿足能量守恒定律的過程都可以自發(fā)地進(jìn)行 | |
C. | 一定質(zhì)量的理想氣體,當(dāng)溫度不變時,壓強增大,分子的密集程度也增大 | |
D. | 通過有限的過程可以把一個物體冷卻到絕對零度 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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