A. | 把該元件高溫處理 | |
B. | 把該元件通入強(qiáng)電流 | |
C. | 把該元件放入逐漸減弱的交變磁場(chǎng)中 | |
D. | 把該元件放入強(qiáng)磁場(chǎng)中 |
分析 安培認(rèn)為構(gòu)成磁體的分子內(nèi)部存在一種環(huán)形電流--分子電流.由于分子電流的存在,每個(gè)磁分子成為小磁體,兩側(cè)相當(dāng)于兩個(gè)磁極.通常情況下磁體分子的分子電流取向是雜亂無章的,它們產(chǎn)生的磁場(chǎng)互相抵消,對(duì)外不顯磁性.當(dāng)外界磁場(chǎng)作用后,分子電流的取向大致相同,兩端顯示較強(qiáng)的磁體作用,形成磁極,就被磁化了.當(dāng)磁體受到高溫或猛烈撞擊時(shí)會(huì)失去磁性,是因?yàn)榧ち业臒徇\(yùn)動(dòng)或震動(dòng)使分子電流的取向又變的雜亂無章了.
解答 解:A、根據(jù)退磁的方法可知,把該元件高溫處理,因?yàn)榧ち业臒徇\(yùn)動(dòng)使分子電流的取向又變的雜亂無章了.能使元件退磁.故A正確;
B、把該元件通入強(qiáng)電流,不能使分子電流的取向變的雜亂無章.故B錯(cuò)誤;
C、把該元件放入逐漸減弱的交變磁場(chǎng)中是使磁性物體退磁的方法.故C正確;
D、把該元件放入強(qiáng)磁場(chǎng)中,可能會(huì)使該元件的磁性更強(qiáng).故D錯(cuò)誤.
故選:AC
點(diǎn)評(píng) 本題考查了安培分子電流假說和磁化、退磁的知識(shí),要真正理解鐵磁性物質(zhì)產(chǎn)生磁化的本質(zhì),掌握常見的退磁的方法.屬于基礎(chǔ)題目.
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | t4時(shí)刻,質(zhì)點(diǎn)回到出發(fā)點(diǎn) | |
B. | 在0~t1時(shí)間內(nèi),外力的逐漸增大 | |
C. | t2時(shí)刻質(zhì)點(diǎn)所在的位置為質(zhì)點(diǎn)運(yùn)動(dòng)的對(duì)稱中心 | |
D. | 在t1~t2時(shí)間內(nèi)外力的方向與t2~t3時(shí)間內(nèi)外力的方向相反 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 該導(dǎo)體材料靠正電荷導(dǎo)電 | |
B. | 該導(dǎo)體材料靠負(fù)電荷導(dǎo)電 | |
C. | 上下兩表面電勢(shì)差的大小與導(dǎo)體的厚度無關(guān) | |
D. | 上下兩表面電勢(shì)差的大小與磁感應(yīng)強(qiáng)度有關(guān) |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 球A的角速度小于球B的角速度 | |
B. | 球A的線速度小于球B的線速度 | |
C. | 球A對(duì)碗壁的壓力等于球B對(duì)碗壁的壓力 | |
D. | 球A的向心加速度大于球B的向心加速度 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 3 | B. | 4 | C. | 5 | D. | 6 |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 30° | B. | 45° | C. | 90° | D. | 120° |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | a的質(zhì)量一定小于b的質(zhì)量 | |
B. | a擺動(dòng)的過程中,b所受c的靜摩擦力方向可能沿斜面向下 | |
C. | a擺動(dòng)的過程中,c可能受到水平面的靜摩擦力作用 | |
D. | a擺動(dòng)的過程中,c對(duì)水平面的壓力大小可能等于b、c的重力大小之和 |
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