分析 (1)物體勻速運(yùn)動(dòng),由共點(diǎn)力的平衡條件可求得線框的速度;
(2)由動(dòng)能定理可求得物體從最高點(diǎn)落入磁場(chǎng)瞬間時(shí)的速度,再由牛頓第二定律,結(jié)合安培力表達(dá)式,即可求得在上升階段上邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的加速度大。
(3)對(duì)全程分析,由能量守恒定律可求得線框在上升階段產(chǎn)生的焦耳熱.
解答 解:(1)線框在下落階段勻速進(jìn)入磁場(chǎng)瞬間有
mg=f+$\frac{{B}^{2}{a}^{2}{v}_{2}}{R}$,
解得:v2=$\frac{(mg-f)R}{{B}^{2}{a}^{2}}$
線框在下落階段勻速進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度$\frac{(mg-f)R}{{B}^{2}{a}^{2}}$;
(2)由動(dòng)能定理,線框從離開(kāi)磁場(chǎng)至上升到最高點(diǎn)的過(guò)程有:
0-(mg+f)h=0-$\frac{1}{2}$mv12…①
線圈從最高點(diǎn)落至進(jìn)入磁場(chǎng)瞬間:
(mg-f)h=$\frac{1}{2}$mv22…②
由①②得:v1=$\sqrt{\frac{mg+f}{mg-f}}$v2=$\sqrt{(mg)^{2}-{f}^{2}}\frac{R}{{B}^{2}{a}^{2}}$
線框在上升階段下邊剛離開(kāi)磁場(chǎng)時(shí)的速度$\sqrt{(mg)^{2}-{f}^{2}}\frac{R}{{B}^{2}{a}^{2}}$;
那么線框上邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí),速度的大小為:v0=2$\sqrt{(mg)^{2}-{f}^{2}}\frac{R}{{B}^{2}{a}^{2}}$;
根據(jù)牛頓第二定律,則有:mg+$\frac{{B}^{2}{a}^{2}{v}_{0}}{R}$=ma
解得:a=g+$\frac{{2B}^{2}{a}^{2}}{mR}$$\sqrt{(mg)^{2}-{f}^{2}}\frac{R}{{B}^{2}{a}^{2}}$;
(3)線框在向上通過(guò)磁場(chǎng)過(guò)程中,由能量守恒定律有:
$\frac{1}{2}$mv02-$\frac{1}{2}$mv12=Q+(mg+f)(a+b)而v0=2v1
解得:Q=$\frac{3}{2}$m[(mg)2-f2]$\frac{{R}^{2}}{{B}^{4}{a}^{4}}$-(mg+f)(a+b)
線框在上升階段通過(guò)磁場(chǎng)過(guò)程中產(chǎn)生的焦耳熱為:Q=$\frac{3}{2}$m[(mg)2-f2]$\frac{{R}^{2}}{{B}^{4}{a}^{4}}$-(mg+f)(a+b)
答:(1)線框在下落階段勻速進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度$\frac{(mg-f)R}{{B}^{2}{a}^{2}}$;
(2)線框在上升階段上邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的加速度大小g+$\frac{{2B}^{2}{a}^{2}}{mR}$$\sqrt{(mg)^{2}-{f}^{2}}\frac{R}{{B}^{2}{a}^{2}}$;
(3)線框在上升階段通過(guò)磁場(chǎng)過(guò)程中產(chǎn)生的電熱$\frac{3}{2}$m[(mg)2-f2]$\frac{{R}^{2}}{{B}^{4}{a}^{4}}$-(mg+f)(a+b).
點(diǎn)評(píng) 此類(lèi)問(wèn)題的關(guān)鍵是明確所研究物體運(yùn)動(dòng)各個(gè)階段的受力情況,做功情況及能量轉(zhuǎn)化情況,選擇利用牛頓運(yùn)動(dòng)定律、動(dòng)能定理或能的轉(zhuǎn)化與守恒定律解決針對(duì)性的問(wèn)題,由于過(guò)程分析不明而易出現(xiàn)錯(cuò)誤,所以,本類(lèi)問(wèn)題屬于難題中的易錯(cuò)題.
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 原、副線圈匝數(shù)比為5:1 | |
B. | 副線圈中電流的頻率是50Hz | |
C. | 原線圈的導(dǎo)線比副線圈的要粗 | |
D. | 輸入原線圈的電流等于居民小區(qū)各用電器電流的總和 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | O點(diǎn)和d點(diǎn)的場(chǎng)強(qiáng)方向相同 | |
B. | d點(diǎn)電勢(shì)比O點(diǎn)的電勢(shì)高 | |
C. | 同一試探電荷+q在d點(diǎn)比在O點(diǎn)受到的電場(chǎng)力小 | |
D. | 同一試探電荷+q在d點(diǎn)比在O點(diǎn)的電勢(shì)能大 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 流過(guò)電阻的最大電流是22A | |
B. | 用交流電壓表測(cè)量電阻兩端的電壓,其示數(shù)約 為311V | |
C. | 電阻消耗的功率為9680W | |
D. | 在交流電變化的半個(gè)周期內(nèi),電阻產(chǎn)生的焦耳熱是48.4J |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 沿x軸正方向 | B. | 沿y軸負(fù)方向 | C. | 沿z軸正方向 | D. | 沿z軸負(fù)方向 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:解答題
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