（2011?上海）某種氣體在不同溫度下的氣體分子速率分布曲線如圖所示，圖中f（v）表示v處單位速率區(qū)間內(nèi)的分子數(shù)百分率，所對(duì)應(yīng)的溫度分別為T(mén)I，TII，TIII，則（　�。�
分析：本題關(guān)鍵在于理解：溫度高與低反映的是分子平均運(yùn)動(dòng)快慢程度
解答：解：溫度越高分子熱運(yùn)動(dòng)越激烈，分子運(yùn)動(dòng)激烈是指速率大的分子所占的比例大，圖Ⅲ腰最粗，速率大的分子比例最大，溫度最高；圖Ⅰ雖有更大速率分子，但所占比例最小，溫度最低，故B正確．
正確答案 B
點(diǎn)評(píng)：本題考查氣體分子速率分布曲線與溫度的關(guān)系，溫度高不是所有分子的速率都大．
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相關(guān)習(xí)題

科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

（2011?上海模擬）“用DIS研究加速度與力的關(guān)系”實(shí)驗(yàn)中，應(yīng)選用摩擦力
小
小
的軌道，選用的鉤碼的質(zhì)量應(yīng)
小
小
些（填“大”或“小”）．若某同學(xué)根據(jù)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)作出的加速度a與作用力F圖線如圖所示，試分析圖線不過(guò)原點(diǎn)的主要原因是
軌道有摩擦
軌道有摩擦
．

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

（2011?上海模擬）某校中學(xué)生參加電視臺(tái)“異想天開(kāi)”節(jié)目的活動(dòng)，他們提出了下列四個(gè)設(shè)想方案．從理論上講可行的是（　　）

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

（2011?上海模擬）如圖所示，在水平地面上固定一傾角θ=37？、足夠長(zhǎng)的光滑斜面，小物體A以v1=6m/s的初速度沿斜面上滑，同時(shí)在物體A的正上方，有一小物體B以某一初速v2做平拋運(yùn)動(dòng)，如果當(dāng)A上滑到最高點(diǎn)時(shí)恰好被物體B擊中，則物體B拋出時(shí)的初速度大小為v2=
2.4
2.4
m/s，物體A、B初始位置間的高度差為h=
6.8
6.8
m．

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

（2011?上海模擬）如圖（1）所示是根據(jù)某平拋運(yùn)動(dòng)軌跡制成的內(nèi)壁光滑的圓管軌道，軌道上端與水平面相切．實(shí)驗(yàn)得到進(jìn)入圓管上端時(shí)的水平速度v0的平方和離開(kāi)圓管時(shí)速度的水平分量vx的平方的關(guān)系如圖（2）所示．一質(zhì)量為m=0.4kg、體積很小的滑塊靜止在距離管口L=1m處，滑塊與水平面間的動(dòng)擦因數(shù)為μ=0.2．（g=10m/s2）

（1）當(dāng)滑塊以水平速度v0=8m/s從軌道進(jìn)入后，離開(kāi)軌道時(shí)的水平速度是多大？
（2）用大小為F=5N的水平恒力在水平面上拉動(dòng)滑塊一段距離x后撤去F，要使滑塊進(jìn)入圓管軌道后在軌道內(nèi)運(yùn)動(dòng)過(guò)程中水平分速度不斷增大，求x的取值范圍．
（3）當(dāng)滑塊以水平速度v0=3m/s從軌道頂端進(jìn)入后，當(dāng)其到達(dá)軌道底部時(shí)的速度大小是多少？

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科目：高中物理 來(lái)源： 題型：

（2011?上海模擬）某同學(xué)在研究長(zhǎng)直導(dǎo)線周圍的磁場(chǎng)時(shí)，為增大電流，用多根長(zhǎng)直導(dǎo)線捆在一起進(jìn)行實(shí)驗(yàn)．他不斷改變導(dǎo)線中的總電流I和測(cè)試點(diǎn)與直導(dǎo)線的垂直距離r，測(cè)得的數(shù)據(jù)如下表所示（但遺漏了一個(gè)數(shù)據(jù)）：

請(qǐng)你通過(guò)對(duì)上述數(shù)據(jù)的處理與分析得出遺漏的數(shù)據(jù)約為
2.50×10-5～2.60×10-5
2.50×10-5～2.60×10-5
，磁感應(yīng)強(qiáng)度B與電流I及距離r的關(guān)系可以表述為B∝
I
r
I
r
（用相關(guān)的符號(hào)表示）．

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