A. | 線框穿進(jìn)磁場過程中,框中電流的方向?yàn)镈CBA | |
B. | AC剛進(jìn)入磁場時線框中感應(yīng)電流表為$\frac{\sqrt{2}Bav}{R}$ | |
C. | AC剛進(jìn)入磁場時線框所受安培力為$\frac{\sqrt{2}{B}^{2}{a}^{2}v}{R}$ | |
D. | 此時CD兩端電壓為$\frac{3}{4}$Bav |
分析 根據(jù)楞次定律判斷感應(yīng)電流的方向,由E=BIv求出電路中的感應(yīng)電動勢,由閉合電路的歐姆定律求出電路中的電流和CD兩端的電壓;將AD邊與CD邊受到的安培力進(jìn)行矢量合成,求出線框受到的安培力.
解答 解:A、線框進(jìn)入磁場的過程中穿過線框的磁通量增大,由楞次定律可知,感應(yīng)電流的磁場的方向向外,則感應(yīng)電流的方向?yàn)锳BCD方向,故A錯誤;
B、AC剛進(jìn)入磁場時CD邊切割磁感線,AD邊不切割磁感線,所以產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢:E=Bav,則線框中感應(yīng)電流為:I=$\frac{E}{R}$=$\frac{Bav}{R}$,故B錯誤;
C、AC剛進(jìn)入磁場時線框的cd邊產(chǎn)生的安培力與v的方向相反,ad邊受到的安培力的方向垂直于AD向下,它們的大小都是:F=BIa,由幾何關(guān)系可以看出,AD邊與CD邊受到的安培力的方向相互垂直,所以AC剛進(jìn)入磁場時線框所受安培力為AD邊與CD邊受到的安培力的矢量合,即:F合=$\sqrt{2}$F=$\frac{\sqrt{2}{B}^{2}{a}^{2}v}{R}$,故C正確;
D、當(dāng)AC剛進(jìn)入磁場時,CD兩端電壓:U=I×$\frac{3R}{4}$=$\frac{3}{4}$Bav,故D正確;
故選:CD.
點(diǎn)評 安培力是聯(lián)系電磁感應(yīng)與力學(xué)知識的橋梁,要熟練地由法拉第電磁感應(yīng)定律、歐姆定律推導(dǎo)出安培力表達(dá)式.
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 電場線是為了描述電場而引入的理想化模型 | |
B. | 元電荷的數(shù)值最早是由美國物理學(xué)家密立根測得的,元電荷跟一個電子電荷量數(shù)值相等 | |
C. | 只有體積很小的帶電體才能看成點(diǎn)電荷 | |
D. | 由公式F=k$\frac{{q}_{1}{q}_{2}}{{r}^{2}}$知,當(dāng)真空中的兩個電荷間的距離r→0時,它們之間的靜電力F→∞ |
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | $\frac{\sqrt{3}FL}{2}$ | B. | $\frac{πFL}{3}$ | C. | $\frac{mgL}{2}$ | D. | 0 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 小球立即獲得$\frac{kx}{m}$的加速度 | B. | 小球的瞬時加速度為0 | ||
C. | 小球落地的時間等于$\sqrt{\frac{2h}{g}}$ | D. | 小球落地的速度大于$\sqrt{2gh}$ |
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