分析 畫出粒子軌跡與cd邊相切和與ab邊相切的臨界情況圖,根據(jù)幾何關(guān)系列式求解半徑,確定從磁場(chǎng)邊界ab射出時(shí),v0應(yīng)滿足的條件
解答 解:當(dāng)粒子軌跡恰好與cd邊相切時(shí)是粒子能從ab邊射出磁場(chǎng)區(qū)域時(shí)軌跡圓半徑最大的情況,設(shè)此半徑為${R}_{1}^{\;}$,如圖甲所示,
根據(jù)幾何關(guān)系,則有${R}_{1}^{\;}cos60°+\frac{L}{2}={R}_{1}^{\;}$
可得${R}_{1}^{\;}=L$
當(dāng)粒子軌跡恰好與ab相切時(shí)是粒子能從ab邊射出磁場(chǎng)區(qū)域時(shí)軌跡圓半徑最小的情況,設(shè)此半徑為${R}_{2}^{\;}$,如圖乙所示,
由幾何關(guān)系有:${R}_{2}^{\;}sin30°+{R}_{2}^{\;}=\frac{L}{2}$
得${R}_{2}^{\;}=\frac{L}{3}$
故粒子從ab邊射出的條件為${R}_{2}^{\;}≤R≤{R}_{1}^{\;}$,即$\frac{L}{3}≤R≤L$
根據(jù)洛倫茲力提供向心力,有$q{v}_{0}^{\;}B=m\frac{{v}_{0}^{2}}{R}$
得${v}_{0}^{\;}=\frac{qBR}{m}$
所以$\frac{qBL}{3m}<{v}_{0}^{\;}≤\frac{qBL}{m}$
答:v0應(yīng)滿足條件是$\frac{qBL}{3m}<{v}_{0}^{\;}≤\frac{qBL}{m}$
點(diǎn)評(píng) 考查牛頓第二定律的應(yīng)用,掌握幾何關(guān)系在題中的運(yùn)用,注意本題關(guān)鍵是畫出正確的運(yùn)動(dòng)軌跡.
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 小燈泡A逐漸變亮 | B. | 小燈泡B逐漸變暗 | ||
C. | 小燈泡C逐漸變暗 | D. | 三個(gè)小燈泡都逐漸變亮 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | t2是線框全部進(jìn)入磁場(chǎng)瞬間,t4是線框全部離開(kāi)磁場(chǎng)瞬間 | |
B. | 從bc邊進(jìn)入磁場(chǎng)起一直到ad邊離開(kāi)磁場(chǎng)為止,感應(yīng)電流所做的功為mgS | |
C. | v1的大小可能為$\frac{mgR}{{B}^{2}{L}^{2}}$ | |
D. | 線框穿出磁場(chǎng)過(guò)程中流經(jīng)線框橫截面的電荷量比線框進(jìn)入磁場(chǎng)過(guò)程中流經(jīng)框橫截面的電荷量多 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 線圈中產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)E與半徑R成正比 | |
B. | 線圈中產(chǎn)生的感應(yīng)電流I與半徑R成正比 | |
C. | 線圈中產(chǎn)生的感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)E與匝數(shù)N成正比 | |
D. | 線圈中產(chǎn)生的感應(yīng)電流I與匝數(shù)N成正比 |
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