A. | 此電場為負(fù)點(diǎn)電荷所形成的 | |
B. | A點(diǎn)的電勢低于B點(diǎn)的電勢 | |
C. | 同一檢驗(yàn)電荷在A點(diǎn)受的電場力大于在B點(diǎn)受的電場力 | |
D. | 負(fù)電荷在A點(diǎn)時的電勢能多于在B點(diǎn)時的電勢能 |
分析 根據(jù)電場線的分布情況判斷場源電荷的性質(zhì).根據(jù)沿電場線電勢降低,判斷電勢高低.根據(jù)電場線的疏密判斷電場強(qiáng)度的大小,由F=qE分析電場力的大。鶕(jù)電場力做功情況,判斷電勢能的變化.
解答 解:A、將一個正的檢驗(yàn)電荷從A移到B電場力做了正功,正檢驗(yàn)電荷受到了排斥力作用,所以此電場為正點(diǎn)電荷所形成的,故A錯誤;
B、電場線從正電荷出發(fā)到無窮遠(yuǎn)終止,而沿電場線方向電勢逐漸降低,所以A點(diǎn)的電勢高于B點(diǎn)的電勢,故B錯誤;
C、由于電場線密集的地方場強(qiáng)較大,故A點(diǎn)的場強(qiáng)大于B點(diǎn)的場強(qiáng),由F=qE分析知,同一檢驗(yàn)電荷在A點(diǎn)受的電場力大于在B點(diǎn)受的電場力,故C正確;
D、若負(fù)電荷從A移到B,電場力做負(fù)功,電勢能增大,則知負(fù)電荷在A點(diǎn)時的電勢能少于在B點(diǎn)時的電勢能,故D錯誤;
故選:C
點(diǎn)評 本題考查了電場線和電場強(qiáng)度、電勢之間的關(guān)系,對于電勢能可以通過電勢高低進(jìn)行判斷,也可以通過電場力做功進(jìn)行判斷.
年級 | 高中課程 | 年級 | 初中課程 |
高一 | 高一免費(fèi)課程推薦! | 初一 | 初一免費(fèi)課程推薦! |
高二 | 高二免費(fèi)課程推薦! | 初二 | 初二免費(fèi)課程推薦! |
高三 | 高三免費(fèi)課程推薦! | 初三 | 初三免費(fèi)課程推薦! |
科目:高中物理 來源: 題型:解答題
查看答案和解析>>
科目:高中物理 來源: 題型:解答題
查看答案和解析>>
科目:高中物理 來源: 題型:解答題
查看答案和解析>>
科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | x2處場強(qiáng)大小為$\frac{kQ}{x_2^2}$ | |
B. | 球內(nèi)部的電場為勻強(qiáng)電場 | |
C. | x1、x2兩點(diǎn)處的電場強(qiáng)度相同 | |
D. | 假設(shè)將試探電荷沿x軸移動,則從x1移到R處和從R移到x2處電場力做功相同 |
查看答案和解析>>
科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
查看答案和解析>>
科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 當(dāng)雙刀開關(guān)接到cd上時,電流表滿偏時,通過M、N間的電壓為10V | |
B. | 當(dāng)雙刀雙擲開關(guān)接到ab上時,電流表滿偏時,通過M處的電流為100μA | |
C. | 當(dāng)雙刀雙擲開關(guān)接到ab上時,經(jīng)過電流表的電流最大為1A | |
D. | 當(dāng)雙刀雙擲開關(guān)接到cd上時,通過R2的電流可以超過100μA |
查看答案和解析>>
科目:高中物理 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
查看答案和解析>>
科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 0~2s內(nèi)的位移小于2~3s內(nèi)的位移 | B. | 0~2s內(nèi)的位移大于2~3s內(nèi)的位移 | ||
C. | 0~3s內(nèi)物體的運(yùn)動方向不變 | D. | 0~3s內(nèi)物體的運(yùn)動方向發(fā)生了改變 |
查看答案和解析>>
湖北省互聯(lián)網(wǎng)違法和不良信息舉報(bào)平臺 | 網(wǎng)上有害信息舉報(bào)專區(qū) | 電信詐騙舉報(bào)專區(qū) | 涉歷史虛無主義有害信息舉報(bào)專區(qū) | 涉企侵權(quán)舉報(bào)專區(qū)
違法和不良信息舉報(bào)電話:027-86699610 舉報(bào)郵箱:58377363@163.com