科目: 來源: 題型:解答題
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科目: 來源: 題型:多選題
A. | 1.2m/s | B. | 0.8m/s | C. | 0.6m/s | D. | 0.4m/s |
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | 4:5 4:5 | B. | 5:4 4:5 | C. | 5:4 5:4 | D. | 4:5 5:4 |
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | 0V | B. | 1V | C. | 2V | D. | 3V |
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | 半導(dǎo)體樣品的上表面電勢高于下表面電勢 | |
B. | 霍爾元件靈敏度與半導(dǎo)體樣品薄片的長度a、寬度b均無關(guān) | |
C. | 在其他條件不變時,單位體積中導(dǎo)電的電子數(shù)n越大,霍爾元件靈敏度越高 | |
D. | 在其他條件不變時,沿磁場方向半導(dǎo)體薄片的厚度c越大,霍爾元件靈敏度越高 |
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科目: 來源: 題型:多選題
A. | QA與QB一定為異種電荷 | |
B. | QB=$\sqrt{3}$QA | |
C. | 由QA、QB激發(fā)的電場,在圓環(huán)上各處電勢相等 | |
D. | 小珠P運動過程中對圓環(huán)的彈力大小處處相等 |
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科目: 來源: 題型:填空題
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科目: 來源: 題型:選擇題
A. | mg | B. | m$\frac{{v}^{2}}{R}$ | C. | m$\frac{{v}^{2}}{R}$+mg | D. | m$\frac{{v}^{2}}{R}$-mg |
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科目: 來源: 題型:解答題
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