5.設NA為阿伏加德羅常數(shù)的數(shù)值,下列說法錯誤的是( 。
A.一定條件下,2molSO2和1molO2混合在密閉容器中充分反應后容器中的分子數(shù)大于2NA
B.0.1mol鐵粉與足量水蒸氣反應生成的H2分子數(shù)目為0.1NA
C.由1molCH3COONa和少量CH3COOH形成的中性溶液中,CH3COO-數(shù)目為NA
D.分子數(shù)目為0.1NA的N2和NH3混合氣體,原子間含有的共用電子對數(shù)目為0.3NA

分析 A.二氧化硫與氧氣反應生成三氧化硫的反應為可逆反應,反應物只能部分轉化成生成物;
B.根據(jù)電子守恒進行計算,0.1mol鐵完全反應生成四氧化三鐵,失去了$\frac{8}{3}$mol電子,生成1mol氫氣需要得到2mol電子,據(jù)此計算出生成氫氣的物質的量;
C.混合液為中性,則氫離子與氫氧根離子濃度相等,結合電荷守恒可知鈉離子與醋酸根離子濃度相等;
D.氮氣和氨氣分子中都含有3對共用電子對,0.1mol混合物中含有0.3mol共用電子對.

解答 解:A.2mol SO2和1mol O2混合在閉容器中加熱反應后,由于該反應為體積減小的可逆反應,反應生成的三氧化硫的物質的量小于2mol,反應后氣體的物質的量大于2mol,分子數(shù)大于2NA,故A正確;
B.0.1mol鐵與足量水蒸氣完全反應失去了$\frac{8}{3}$mol電子,根據(jù)電子守恒,生成了$\frac{8}{3}×\frac{1}{2}$=$\frac{4}{3}$mol氫氣,生成的H2分子數(shù)為$\frac{4}{3}$NA,故B錯誤;
C.由1molCH3COONa和少量CH3COOH形成的中性溶液中,氫離子和氫氧根離子濃度相等,根據(jù)電荷守恒可知鈉離子和醋酸根離子的濃度也相等,則CH3COO-數(shù)目與鈉離子數(shù)目相等,都是NA個,故C正確;
D.分子數(shù)為0.1NA的N2和NH3混合氣體,由于氮氣和氨氣分子中都含有3對共用電子對,則混合物分子間含有的共用電子對數(shù)目為0.3NA,故D正確;
故選B.

點評 本題考查阿伏加德羅常數(shù)的綜合應用,題目難度中等,注意掌握好以物質的量為中心的各化學量與阿伏加德羅常數(shù)的關系,明確鐵與水蒸氣反應生成的是四氧化三鐵,為易錯點.

練習冊系列答案
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15.化學與生產、生活關系密切,下列現(xiàn)象或事實及其分析都正確的是(  )
選項現(xiàn)象或事實分析
A發(fā)電廠將燃煤產生的廢氣通入高溫下的石灰石主要目的是生產CaSO4并得到副產品CO2
BClO2代替Cl2對飲用水消毒ClO2消毒殺毒效率高,二次污染小
C蘇打、苛性鈉可用于治療胃酸過多蘇打、苛性鈉都與胃酸反應
D用環(huán)保綠色融雪除冰劑代替氯化鈣、氯化鈉融雪除冰氯化鈣、氯化鈉會造成環(huán)境污染,但不會加速橋梁等設備腐蝕
A.AB.BC.CD.D

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16.常溫下,對pH=10的氨水而言,下列說法正確的是( 。
A.溶液中由水電離的氫離子濃度為10-4
B.與pH=4的鹽酸等體積混合后,c(Cl-)>c(NH4+
C.通入一定量氨氣后,依然存在c(NH4+)+c(H+)=c(OH-
D.氨水中存在:c(NH3•H2O)>c(NH4+)>c(OH-)>c(H+

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10.下列實驗設計方案中,可行的是(  )
A.用加入適量銅粉的方法除去Cu(NO32溶液中混有的AgNO3
B.用洗氣瓶中的NaOH溶液除去CO2中混有的HCl氣體
C.向某無色未知溶液中僅加入BaCl2溶液,以檢驗未知溶液的SO42-
D.先后添加酚酞試液、BaCl2溶液,將鹽酸、硫酸、硫酸鈉、氫氧化鈉和硝酸鉀五種無色溶液鑒別開

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17.有含碳元素的質量分數(shù)相同的A、B兩種烴,關于A和B的敘述中正確的是( 。
A.二者不可能是同系物
B.二者一定是同分異構體
C.各1mol的A和B分別燃燒生成CO2的質量一定相等
D.二者最簡式相同

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14.將鋅片和銅片用導線相連浸入稀硫酸中組成原電池,兩電極間連接一個電流計,裝置如圖:
(1)鋅片上發(fā)生的電極反應:Zn-2e-=Zn2+;銅片上發(fā)生的電極反應:2H++2e-=H2↑;
(2)若該電池中兩電極的 總質量為60g,工作一段時間后,取出鋅片和銅片洗凈干燥后稱重,總質量為47g,試計算產生標準狀況氫氣的體積為4.48L?

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15.下列根據(jù)元素周期表和元素周期律得出的推斷中正確的是( 。
A.金屬元素原子最外層電子數(shù)越少,該金屬失電子能力越強
B.若存在簡單陰離子R2-,則R一定位于ⅥA族
C.aA2+、bB+、cC3-三種離子具有相同的電子層結構,則原子序數(shù)c>a>b
D.鉛位于周期表中金屬和非金屬的交界處,可作半導體材料

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