A. | 晶體根據(jù)結(jié)構(gòu)和性質(zhì)只可分為分子晶體,原子晶體,離子晶體和金屬晶體四大類(lèi) | |
B. | 含有陽(yáng)離子的晶體一定是離子晶體,且離子晶體中可能含有共價(jià)鍵 | |
C. | 任何晶體中部分含有化學(xué)鍵,如離子鍵、共價(jià)鍵、金屬鍵、氫鍵等 | |
D. | 原子晶體的熔沸點(diǎn)不一定高于離子晶體,而離子晶體的熔沸點(diǎn)肯定高于分子晶體 |
分析 A.根據(jù)晶體的構(gòu)成微粒將晶體分為四類(lèi);
B.含有陽(yáng)離子的晶體不一定是離子晶體,離子晶體中一定含有離子鍵,可能含有共價(jià)鍵;
C.單原子分子中不含化學(xué)鍵;
D.原子晶體的熔沸點(diǎn)不一定高于離子晶體,如MgO的熔點(diǎn)為2852℃,而SiO2的熔點(diǎn)為1710℃;而離子晶體的熔沸點(diǎn)較高、分子晶體熔沸點(diǎn)較低.
解答 解:A.根據(jù)晶體的構(gòu)成微粒將晶體分為分子晶體、原子晶體、離子晶體和金屬晶體四類(lèi),故A錯(cuò)誤;
B.含有陽(yáng)離子的晶體不一定是離子晶體,如金屬晶體;離子晶體中一定含有離子鍵,可能含有共價(jià)鍵,如KOH,故B錯(cuò)誤;
C.單原子分子中不含化學(xué)鍵,且氫鍵是分子間作用力而不是化學(xué)鍵,故C錯(cuò)誤;
D.原子晶體的熔沸點(diǎn)不一定高于離子晶體,如MgO的熔點(diǎn)為2852℃,而SiO2的熔點(diǎn)為1710℃;而離子晶體的熔沸點(diǎn)較高、分子晶體熔沸點(diǎn)較低,所以離子晶體的熔沸點(diǎn)肯定高于分子晶體,故D正確;
故選D.
點(diǎn)評(píng) 本題考查化學(xué)鍵與晶體及晶體熔沸點(diǎn)之間關(guān)系,側(cè)重考查分析判斷能力,知道常見(jiàn)晶體類(lèi)型及分類(lèi)方法,易錯(cuò)選項(xiàng)是C,注意稀有氣體中不含化學(xué)鍵,注意氫鍵屬于分子間作用力,配位鍵屬于共價(jià)鍵,為易錯(cuò)點(diǎn).
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:填空題
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 過(guò)氧化鈉的電子式: | |
B. | 硫離子的結(jié)構(gòu)示意圖: | |
C. | NH4Cl的電子式: | |
D. | 質(zhì)子數(shù)為35、中子數(shù)為45的溴原子:${\;}_{35}^{80}$Br |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:解答題
元素代號(hào) | I1 | I2 | I3 | I4 |
Q | 2080 | 4000 | 6100 | 9400 |
R | 500 | 4600 | 6900 | 9500 |
S | 740 | 1500 | 7700 | 10500 |
T | 580 | 1800 | 2700 | 11600 |
U | 420 | 3100 | 4400 | 5900 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 3-甲基-4-乙基戊烷 | B. | 2,3-二甲基戊烷 | ||
C. | 3,4,4-三甲基已烷 | D. | 3,5-二甲基已烷 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 倡導(dǎo)開(kāi)私家車(chē)的人乘公交車(chē)上下班 | |
B. | 用節(jié)能燈代替白熾燈 | |
C. | 政府鼓勵(lì)科研和生產(chǎn)部門(mén)開(kāi)發(fā)、利用太陽(yáng)能 | |
D. | 加快開(kāi)發(fā)石油以緩解能源緊張問(wèn)題 |
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科目:高中化學(xué) 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 電子有得失 | B. | 共用電子對(duì)有偏移 | ||
C. | 電子既有得失又有偏移 | D. | 金屬元素的存在 |
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