在①濃硝酸；②水；③濃硫酸；④氫氟酸；⑤氫氧化鉀溶液中，能與單質(zhì)硅起化學(xué)反應(yīng)的是(　　)。

A．①② B．②④ C．④⑤ D．③④

下列說(shuō)法正確的是(　　)。

A．高溫下，可在試管內(nèi)完成焦炭和石英砂(SiO2)制取硅的反應(yīng)

B．CO2和鈉在一定條件下反應(yīng)可以得到金剛石和碳酸鈉，反應(yīng)中氧化劑和還原劑的物質(zhì)的量之比是3∶4

C．現(xiàn)代海戰(zhàn)通過(guò)噴放液體SiCl4(極易水解)和液氨可產(chǎn)生煙幕，其主要成分是NH4Cl

D．從燃煤煙道灰中(含GeO2)提取半導(dǎo)體材料單質(zhì)鍺(Ge)，沒(méi)有發(fā)生氧化還原反應(yīng)

下列關(guān)于SiO2和CO2的敘述中不正確的是(　　)。

A．都是共價(jià)化合物

B．SiO2可用于制光導(dǎo)纖維，干冰可用于人工降雨

C．都能溶于水且與水反應(yīng)生成相應(yīng)的酸

D．都是酸性氧化物，都能與強(qiáng)堿溶液反應(yīng)

壽山石主要成分為葉蠟石，葉蠟石組成為Al2O3·4SiO2·H2O，下列觀點(diǎn)不正確的是(　　)。

A．壽山石雕刻作品要避免與酸、堿接觸

B．壽山石顏色豐富多彩是因?yàn)楹�有不同形態(tài)的金屬氧化物

C．潮濕的空氣可能導(dǎo)致壽山石作品表面溶解變質(zhì)

D．置于干燥空氣中可能會(huì)導(dǎo)致壽山石作品脫水變質(zhì)

將含有0.1 mol SiO2的鋁、硅混合物分別與足量NaOH溶液、鹽酸混合，充分反應(yīng)后前者可得到11.2 L氣體(標(biāo)準(zhǔn)狀況)，后者可得到6.72 L氣體(標(biāo)準(zhǔn)狀況)，則參加反應(yīng)的n(HCl)與n(NaOH)之比為(　　)。

A．1∶1 B．1∶2 C．2∶1 D．3∶1

青石棉(crocidolite)是世界衛(wèi)生組織確認(rèn)的一種致癌物質(zhì)，是《鹿特丹公約》中受限制的46種化學(xué)品之一，青石棉的化學(xué)式為Na2Fe5Si8O22(OH)2，青石棉用稀硝酸處理時(shí)，還原產(chǎn)物只有NO，下列說(shuō)法中正確的是(　　)。

A．青石棉是一種易燃品，且易溶于水

B．青石棉的化學(xué)組成用氧化物的形式可表示為：Na2O·3FeO·Fe2O3·8SiO2·H2O

C．1 mol Na2Fe5Si8O22(OH)2與足量的硝酸作用，至少需消耗8.5 L 2 mol·L－1 HNO3溶液

D．1 mol Na2Fe5Si8O22(OH)2與足量氫氟酸作用，至少需消耗7 L 2 mol·L－1 HF溶液

如何除去下列各粉末狀混合物中的雜質(zhì)(括號(hào)內(nèi)為雜質(zhì))，請(qǐng)選用下面提供的試劑和操作，將標(biāo)號(hào)填在表內(nèi)。

供選試劑：A鹽酸；B燒堿溶液；C氧氣；D水；ECO2；F不用其他試劑

供選操作：①加熱；②加熱熔融；③過(guò)濾；④結(jié)晶

已知A、B、C、D、E、F、G、H可以發(fā)生如下圖所示的轉(zhuǎn)化，反應(yīng)中部分生成物已略去。其中，A、G為同一主族元素的單質(zhì)，B、C、H在通常情況下為氣體，化合物C是一種形成酸雨的大氣污染物。

請(qǐng)?zhí)羁眨?/p>

(1)寫出E的兩種用途 、 。

(2)反應(yīng)②的離子方程式為 。

(3)反應(yīng)③的化學(xué)方程式是 。

(4)反應(yīng)④的離子方程式是 。

(5)寫出一個(gè)由A生成H的置換反應(yīng)方程式： 。

晶體硅是一種重要的非金屬材料，制備純硅的主要步驟如下：

①高溫下用過(guò)量的碳還原二氧化硅制得粗硅，同時(shí)得到一種可燃性氣體；

②粗硅與干燥的HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3(Si＋3HClSiHCl3＋H2)；

③SiHCl3與過(guò)量的H2在1 100～1 200 ℃的溫度下反應(yīng)制得純硅，已知SiHCl3能與水劇烈反應(yīng)，在空氣中易自燃。

請(qǐng)回答：

(1)第一步制取粗硅的化學(xué)反應(yīng)方程式為 。

(2)粗硅與HCl氣體反應(yīng)完全后，經(jīng)冷凝得到的SiHCl3(沸點(diǎn)33.0 ℃)中含有少量SiCl4(沸點(diǎn)57.6 ℃)和HCl(沸點(diǎn)－84.7 ℃)，提純SiHCl3采用的方法為 。

(3)實(shí)驗(yàn)室用SiHCl3與過(guò)量的H2反應(yīng)制取純硅裝置如圖所示(加熱和夾持裝置略去)：

①裝置B中的試劑是 ，裝置C中的燒杯需要加熱，目的是 。

②反應(yīng)一段時(shí)間后，裝置D中觀察到的現(xiàn)象是 ，裝置D不能采用普通玻璃管的原因是 ，裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式是 。

③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功，操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性，控制好反應(yīng)溫度以及 。

單晶硅是信息產(chǎn)業(yè)中重要的基礎(chǔ)材料。通常用碳在高溫下還原二氧化硅制得粗硅(含鐵、鋁、硼、磷等雜質(zhì))，粗硅與氯氣反應(yīng)生成四氯化硅(反應(yīng)溫度450～500 ℃)，四氯化硅經(jīng)提純后用氫氣還原可得

高純硅。以下是實(shí)驗(yàn)室制備四氯化硅的裝置示意圖。

相關(guān)信息如下：

a．四氯化硅遇水極易水解；

b．硼、鋁、鐵、磷在高溫下均能與氯氣直接反應(yīng)生成相應(yīng)的氯化物；

c．有關(guān)物質(zhì)的物理常數(shù)見下表：

請(qǐng)回答下列問(wèn)題：

(1)寫出裝置A中發(fā)生反應(yīng)的離子方程式： 。

(2)裝置A中g(shù)管的作用是 ；裝置C中的試劑是 ；裝置E中的h瓶需要冷卻的理由是 。

(3)裝置E中h瓶收集到的粗產(chǎn)物可通過(guò)精餾(類似多次蒸餾)得到高純度四氯化硅，精餾后的殘留物中，除鐵元素外可能還含有的雜質(zhì)元素是 (填寫元素符號(hào))。