A. | q在d點(diǎn)所受的電場力較大 | B. | q在兩點(diǎn)所受的電場力方向相同 | ||
C. | q在O點(diǎn)所具有的電勢能較大 | D. | d點(diǎn)的電勢高于O點(diǎn)的電勢 |
分析 根據(jù)庫侖定律和電場力的合成,比較電場力的大小;電場方向沿ad指向d點(diǎn),d點(diǎn)電場方向用矢量合成可求得與a點(diǎn)相同.據(jù)電荷周圍電勢的特點(diǎn)分析電勢的高低.
解答 解:A、設(shè)正方形的邊長為L,在O點(diǎn):b、c兩點(diǎn)電荷對-q的電場力抵消,則a對-q的電場力大小為FO=k$\frac{Qq}{(\frac{\sqrt{2}}{2}L)^{2}}=2k\frac{Qq}{{L}^{2}}$;在d點(diǎn):根據(jù)庫侖定律和力的合成得:點(diǎn)電荷q所受的電場力大小為Fd=k$\frac{Qq}{(\sqrt{2}L)^{2}}$+$\sqrt{2}$k$\frac{Qq}{{L}^{2}}$=($\frac{1}{2}$+$\sqrt{2}$)k$\frac{Qq}{{L}^{2}}$,由數(shù)學(xué)知識得:FO>Fd,故A錯誤.
B、根據(jù)異種電荷相互吸引和力的合成可知,q在兩點(diǎn)所受的電場力方向均沿d→a方向,故B正確.
C、D電場方向沿ad指向d點(diǎn),則O點(diǎn)電勢高,負(fù)電荷在電勢越高處電勢能越小,所以同一試探電荷+q在d點(diǎn)比在O點(diǎn)的電勢能大,故CD錯誤.
故選:B
點(diǎn)評 本題考查對電場疊加的理解和應(yīng)用能力,明確其計算用矢量合成法則,會分析電勢的高低.
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 湯姆生發(fā)現(xiàn)了電子,表明原子具有核式結(jié)構(gòu) | |
B. | 按照玻爾理論,氫原子核外電子從半徑較小的軌道躍遷到半徑較大的軌道時,電子的動能減小,原子總能量增大 | |
C. | β衰變所釋放的電子是原子核內(nèi)的中子轉(zhuǎn)化成質(zhì)子所產(chǎn)生的 | |
D. | 原子核的半衰期與原子所處的化學(xué)狀態(tài)和外部條件有關(guān) |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | “天宮一號”的向心加速最大 | B. | 同步通信衛(wèi)星的角速度最大 | ||
C. | 隨地球自轉(zhuǎn)物體線速度最小 | D. | “天宮一號”的速度大于7.9km/s |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 當(dāng)單刀雙擲開關(guān)與a連接時.電壓表的示數(shù)為22V | |
B. | 當(dāng)t=$\frac{1}{600}$s時,c、d間的電壓瞬時值為110V | |
C. | 單刀雙擲開關(guān)與a連接,在滑動變阻器觸頭P向上移動的過程中,電壓表和電流表的示數(shù)均變小 | |
D. | 保持滑動變阻器觸頭P不動,當(dāng)單刀雙擲開關(guān)由a扳向b時,電壓表和電流表的示數(shù)均變大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
m/kg | 0.10 | 0.20 | 0.30 | 0.40 | 0.50 |
v/m•s-1 | 1.000 | 0.707 | 0.577 | 0.500 | 0.447 |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | B. | C. | D. |
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