A. | 根據(jù)公式E=$\frac{F}{{q}_{0}}$,這個(gè)位置的場強(qiáng)與檢驗(yàn)電荷的電荷量q0成反比 | |
B. | 根據(jù)公式E=$\frac{kQ}{{r}^{2}}$,這個(gè)位置的場強(qiáng)與檢驗(yàn)電荷的電荷量q0成正比 | |
C. | 公式E=$\frac{kQ}{{r}^{2}}$和E=$\frac{F}{{q}_{0}}$適用條件相同 | |
D. | 電場強(qiáng)度是反映電場本身特性的物理量,與是否存在試探電荷無關(guān) |
分析 公式E=$\frac{F}{{q}_{0}}$采用比值法定義,E與F、q無關(guān);公式E=$\frac{kQ}{{r}^{2}}$,是點(diǎn)電荷場強(qiáng)的計(jì)算式,Q是場源電荷.電場強(qiáng)度是反映電場本身特性的物理量,與是否存在試探電荷無關(guān).
解答 解:A、公式E=$\frac{F}{{q}_{0}}$是電場強(qiáng)度的定義式,采用比值法定義,則知E與F、q0無關(guān),故A錯(cuò)誤.
B、公式E=$\frac{kQ}{{r}^{2}}$是點(diǎn)電荷場強(qiáng)的計(jì)算式,E跟場源電荷的電荷量Q成正比,而與檢驗(yàn)電荷的電荷量q0無關(guān).故B錯(cuò)誤.
C、E=$\frac{F}{{q}_{0}}$適用于任何電場,而E=$\frac{kQ}{{r}^{2}}$只適用于真空中點(diǎn)電荷產(chǎn)生的電場.故C錯(cuò)誤.
D、電場強(qiáng)度是反映電場本身特性的物理量,由電場本身決定,與是否存在試探電荷無關(guān),故D正確.
故選:D
點(diǎn)評(píng) 決本題的關(guān)鍵是理解并掌握電場強(qiáng)度兩大公式的適用條件、各個(gè)量的含義,注意場強(qiáng)與場源電荷有關(guān),與檢驗(yàn)電荷無關(guān),不能搞混.
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 電場線一定是不閉合的曲線 | |
B. | 電場線是正電荷在電場中的運(yùn)動(dòng)軌跡 | |
C. | 電場中某點(diǎn)的場強(qiáng)方向,就是電荷在該點(diǎn)所受電場力的方向 | |
D. | 電場線的疏密表示場強(qiáng)的強(qiáng)弱 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 平均速度是物體在一段時(shí)間內(nèi)位移與所用時(shí)間的比值 | |
B. | 平均速率就是平均速度的大小 | |
C. | 瞬時(shí)速度是指物體在某一位置或某一時(shí)刻的速度 | |
D. | 很短時(shí)間內(nèi)的平均速度可認(rèn)為等于瞬時(shí)速度 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 物體在這1s末的速度比這1s初的速度總是大3m/s | |
B. | 物體在這1s末的速度比這1s初的速度總是大3倍 | |
C. | 物體在這1s末的速度可能比前1s末的速度小3m/s | |
D. | 物體在這1s末的速度可能比前1s初的速度大6m/s |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 靜摩擦力的大小先減小后增大 | B. | 靜摩擦力的大小先增大后減小 | ||
C. | 方向一直沿長木板向上 | D. | 方向一直沿長木板向下 |
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | F1=F2 E1=E2 | B. | F1=2F2 E1=E2 | ||
C. | F1=2F2 E1=2E2 | D. | F1=F2 2E1=E2 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 第1s內(nèi)和第3s內(nèi)的運(yùn)動(dòng)方向相反 | B. | 第3s內(nèi)和第4s內(nèi)的加速度相同 | ||
C. | 第1s內(nèi)和第4s內(nèi)的位移大小不相等 | D. | 0~2s的平均速度為0.75m/s |
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