分析 (1)根據(jù)法拉第電磁感應(yīng)定律與電功率表達(dá)式,即可求解;
(2)斷裂時(shí)拉力與安培力大小相等,根據(jù)歐姆定律求出電流,則可得出安培力的表達(dá)式,從而求出所用時(shí)間;
(3)依據(jù)安培力表達(dá)式,結(jié)合閉合電路歐姆定律,及電量表達(dá)式,即可求解,注意t0之前電流恒定,直接由q=It求解,而t0之后要根據(jù)平均電動(dòng)勢(shì)求解.
解答 解:(1)根據(jù)法拉第定律有:E=$\frac{△Φ}{△t}$=$\frac{△B}{△t}$L2=kL2;
電功率為:P=$\frac{E^{2}}{R}$=$\frac{k^{2}L^{4}}{R}$
(2)細(xì)線斷裂瞬間有:FA=kt0IL=F0,
由歐姆定律可知:I=$\frac{E}{R}$=$\frac{kL^{2}}{R}$
解得細(xì)線斷裂時(shí)間為:t0=$\frac{F_{0}R}{k^{2}L^{3}}$;
(3)0-t0時(shí)間內(nèi),通過導(dǎo)線橫截面的電荷量為:q1=It0=$\frac{kL^{2}}{R}$×$\frac{F_{0}R}{k^{2}L^{3}}$=$\frac{F_{0}}{kL}$
t=0時(shí)刻到線框離開磁場(chǎng)過程,通過導(dǎo)線橫截面的電荷量為:q2=$\overline{I}$t=$\frac{\overline{E}}{R}t$=$\frac{△Φ}{R}$
磁通量的變化量為:△Φ=kt0L2
聯(lián)立解得:q2=$\frac{F_{0}}{kL}$
答:(1)細(xì)線斷裂前線框的電功率P為$\frac{k^{2}L^{4}}{R}$;
(2)細(xì)線斷裂的時(shí)間t0為$\frac{F_{0}R}{k^{2}L^{3}}$;
(3)0~t0時(shí)間內(nèi)及從t=t0時(shí)刻到線框離開磁場(chǎng)兩個(gè)過程中通過導(dǎo)線橫截面的電荷量q1和q2均為$\frac{F_{0}}{kL}$.
點(diǎn)評(píng) 本題考查法拉第電磁感應(yīng)定律,閉合電路歐姆定律以及安培力表達(dá)式的內(nèi)容,要注意會(huì)推導(dǎo)電量綜合表達(dá)式,理解平衡條件的正確應(yīng)用.
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | B. | C. | D. |
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:解答題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 組成晶體的分子(或原子、離子)都是按照一定的規(guī)則排列的 | |
B. | 液晶像液體一樣具有流動(dòng)性,其光學(xué)性質(zhì)與某些多晶體相似,具有各項(xiàng)異性 | |
C. | 物體做加速運(yùn)動(dòng)時(shí)速度越來越大,物體內(nèi)分子的平均動(dòng)能不一定 越來越大 | |
D. | 在輪胎爆裂這一短暫過程中,氣體膨脹、溫度下降 | |
E. | 氣體能夠充滿整個(gè)容器,說明氣體分子間的斥力很大 |
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科目:高中物理 來源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 物體的質(zhì)量 | |
B. | 斜面傾角的正弦值 | |
C. | 物體靜止在斜面上所需施加的最小外力 | |
D. | 加速度為6m/s2時(shí)物體的速度 |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 若電子是在t=0時(shí)刻進(jìn)入的,它將時(shí)而向B板運(yùn)動(dòng),時(shí)而向A板運(yùn)動(dòng),在兩板間往復(fù)運(yùn)動(dòng),無法到達(dá)B板 | |
B. | 若電子是在t=0時(shí)刻進(jìn)入的,它一定能夠到達(dá)B板 | |
C. | 若電子是在t=$\frac{T}{8}$時(shí)刻進(jìn)入的,它將時(shí)而向B板運(yùn)動(dòng),時(shí)而向A板運(yùn)動(dòng),但一定能夠到達(dá)B板 | |
D. | 若電子是在t=$\frac{T}{4}$時(shí)刻進(jìn)入的,它將時(shí)而向B板運(yùn)動(dòng),時(shí)而向A板運(yùn)動(dòng),但無法到達(dá)B板 |
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