1.如圖甲所示,一光滑的平行金屬導軌ABCD豎直放置,AB,CD相距L,在A,C之間接一個阻值為R的電阻,在兩導軌間的abcd矩形區(qū)域內(nèi)有垂直導軌平面向里,高度為5h的有界勻強磁場,磁感應強度為B.一質(zhì)量為m,電阻為r,長度也為L的導體棒放在磁場下邊界ab上(與ab邊重合).現(xiàn)用一個豎直向上的力F拉導體棒,使它由靜止開始向上運動,導體棒剛要離開磁場時恰好做勻速直線運動,導體棒與導軌始終垂直且保持良好接觸,導軌電阻不計,F(xiàn)隨導體棒與初始位置的距離x變化的情況如圖乙所示,求:
(1)導體棒離開磁場的速度大小v和導體棒兩端電壓U;
(2)導體棒經(jīng)過磁場的過程中,通過電阻R的電荷量;
(3)導體棒經(jīng)過磁場的過程中,電阻R上產(chǎn)生的焦耳熱QR

分析 (1)根據(jù)歐姆定律求離開磁場時導體棒兩端電壓.
(2)根據(jù)安培力與速度的關系式和平衡條件結(jié)合求導體棒離開磁場時的速度大。鶕(jù)q=$\frac{△∅}{R+r}$求通過電阻R的電荷量.
(3)根據(jù)功能關系求出電阻R產(chǎn)生的焦耳熱.

解答 解:(1)設導體棒離開磁場時速度大小為v.此時導體棒受到的安培力大小為:F=$\frac{{B}^{2}{L}^{2}v}{R+r}$.
由平衡條件得:F=F+mg
由圖2知:F=3mg,
聯(lián)立解得:v=$\frac{2mg(R+r)}{{B}^{2}{L}^{2}}$.
離開磁場時,由F=BIL+mg得:I=$\frac{2mg}{BL}$,
導體棒兩端電壓為:U=IR=$\frac{2mgR}{BL}$.
(2)導體棒經(jīng)過磁場的過程中,通過電阻R的電荷量為:q=$\frac{△∅}{R+r}$=$\frac{5BLh}{R+r}$.
(3)導體棒經(jīng)過磁場的過程中,設回路產(chǎn)生的總焦耳熱為Q.
根據(jù)功能關系可得:Q=WF-mg•5h-$\frac{1}{2}$mv2,
而拉力做功為:WF=2mgh+3mg•4h=14mgh
電阻R產(chǎn)生焦耳熱為:QR=$\frac{R}{R+r}$ Q
聯(lián)立解得:QR=$\frac{9mghR{B}^{4}{L}^{4}-2{m}^{3}{g}^{2}R(R+r)^{2}}{{B}^{4}{L}^{4}(R+r)}$.
答:(1)導體棒離開磁場的速度大小v和導體棒兩端電壓$\frac{2mgR}{BL}$;
(2)導體棒經(jīng)過磁場的過程中,通過電阻R的電荷量$\frac{5BLh}{R+r}$;
(3)導體棒經(jīng)過磁場的過程中,電阻R上產(chǎn)生的焦耳熱$\frac{9mghR{B}^{4}{L}^{4}-2{m}^{3}{g}^{2}R(R+r)^{2}}{{B}^{4}{L}^{4}(R+r)}$.

點評 本題是電磁感應與力學知識的綜合應用,對于這類問題一定要正確分析安培力的大小和方向,要掌握安培力經(jīng)驗公式F=$\frac{{B}^{2}{L}^{2}v}{R+r}$,能正確分析能量是如何轉(zhuǎn)化的,運用能量守恒定律求焦耳熱.

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A.輕桿OA對小球的作用力方向與豎直軸的夾角為53°
B.輕桿OB對小滑塊的作用力方向沿OB桿向下,大小為$\frac{5mg}{8}$
C.輕桿OA與OB對小球的作用力大小之比是$\frac{4}{3}$
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A.當振動膜片向左振動時,電容器電容值增大
B.當振動膜片向左振動時,電容器帶電荷量減小
C.當振動膜片向右振動時,電容器兩極板間的場強不變
D.當振動膜片向右振動時,電容器兩極板間的場強減小

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