A. | 速率越大的粒子在磁場中運(yùn)動的時間越長 | |
B. | 速率越大的粒子在磁場中運(yùn)動的偏轉(zhuǎn)角越小 | |
C. | 速率越大的粒子在磁場中運(yùn)動的向心加速度越大 | |
D. | 速率越大的粒子在磁場中運(yùn)動的角速度越大 |
分析 由洛倫茲力作向心力求得向心加速度及角速度并求得圓周運(yùn)動的半徑,由幾何關(guān)系導(dǎo)出半徑與中心角的關(guān)系,并由中心角求得運(yùn)動時間.
解答 解:粒子在磁場中做圓周運(yùn)動,洛倫茲力作向心力,則有$Bvq=\frac{m{v}^{2}}{R}$=F向;
C、粒子在磁場中運(yùn)動的向心加速度$a=\frac{{F}_{向}}{m}=\frac{Bq}{m}v$,所以,速率越大的粒子在磁場中運(yùn)動的向心加速度越大,故C正確;
D、粒子在磁場中運(yùn)動的角速度$ω=\frac{v}{R}=\frac{Bq}{m}$,所以,不同速率粒子在磁場中運(yùn)動的角速度相等,故D錯誤;
B、粒子做圓周運(yùn)動的半徑$R=\frac{m}{Bq}v$,設(shè)磁場圓形區(qū)域半徑為r,如圖所示,
粒子在磁場中運(yùn)動的偏轉(zhuǎn)角為2θ,$tanθ=\frac{r}{R}$,所以,v越大,則R越大,則tanθ越小,那么θ也越小,所以,速率越大的粒子在磁場中運(yùn)動的偏轉(zhuǎn)角越小,故B正確;
A、粒子做圓周運(yùn)動的半徑$R=\frac{m}{Bq}v$,周期$T=\frac{2πR}{v}=\frac{2πm}{Bq}$,即不同速率的粒子在磁場中做圓周運(yùn)動的周期相同,則粒子在磁場中運(yùn)動的偏轉(zhuǎn)角越大,運(yùn)動時間越長,所以,速率越大的粒子在磁場中運(yùn)動的偏轉(zhuǎn)角越小,運(yùn)動的時間越短,故A錯誤.
故選:BC.
點(diǎn)評 在求解帶電粒子在勻強(qiáng)磁場中的運(yùn)動問題時,可以充分利用幾何關(guān)系--圓弧關(guān)于其弦長的垂直平分線對稱來求解關(guān)于速度、距離、中心角等問題.
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 34mA | B. | 34μA | C. | 8.5 mA | D. | 8.5μA |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 該點(diǎn)電荷離開磁場時速度方向的反向延長線通過O點(diǎn) | |
B. | 該點(diǎn)電荷的比荷為$\frac{2{v}_{0}}{BR}$ | |
C. | 該點(diǎn)電荷在磁場中的運(yùn)動時間為$\frac{πR}{3{v}_{0}}$ | |
D. | 該點(diǎn)電荷在磁場中的運(yùn)動時間為$\frac{πR}{2{v}_{0}}$ |
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科目:高中物理 來源: 題型:選擇題
A. | 3qE | B. | 4qE | C. | 5qE | D. | 6qE |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 該束粒子帶負(fù)電 | |
B. | 該束粒子初速度的大小均為$\frac{U}{Bd}$ | |
C. | 該束粒子中,粒子質(zhì)量最小值為$\frac{qLd}{2U}$B2 | |
D. | 該束粒子中,粒子質(zhì)量最大值為$\frac{qLd}{2U}$B2 |
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 兩粒子的電荷量之比為$\frac{{q}_{a}}{{q}_}$=$\frac{1}{2}$ | |
B. | 兩粒子在磁場中運(yùn)動的時間之比為$\frac{{t}_{a}}{{t}_}$=$\frac{2}{3}$ | |
C. | 兩粒子在磁場中運(yùn)動的軌跡長度之比為$\frac{{s}_{a}}{{s}_}$=$\frac{3}{2}$ | |
D. | 兩粒子在磁場中運(yùn)動的軌道半徑之比為$\frac{{r}_{a}}{{r}_}$=$\sqrt{3}$ |
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科目:高中物理 來源: 題型:多選題
A. | 正電子和Si核軌跡形狀是外切圓 | |
B. | 正電子和Si核軌跡形狀是內(nèi)切圓 | |
C. | 正電子的軌跡圓半徑大于原子核${\;}_{14}^{30}Si$,的軌跡圓半徑 | |
D. | 正電子的軌跡圓半徑小于原子核${\;}_{14}^{30}Si$,的軌跡圓半徑 |
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科目:高中物理 來源: 題型:計(jì)算題
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