Question

6．真空中距帶電量為Q的點(diǎn)電荷為r的A點(diǎn)處，放一個(gè)帶電量為q（q遠(yuǎn)小于Q）的點(diǎn)電荷，q受到的電場力大小為F，則A點(diǎn)的場強(qiáng)為$\frac{F}{q}$或k$\frac{Q}{{r}^{2}}$．（寫出兩種表達(dá)式中的任一種）

Answer 1

分析 電場強(qiáng)度等于放入電場中的試探電荷所受電場力與其電荷量的比值．由場強(qiáng)的定義式$E=\frac{F}{q}$求解電場強(qiáng)度的大�。�
點(diǎn)電荷的電場強(qiáng)度也可以使用點(diǎn)電荷的場強(qiáng)公式：$E=k\frac{Q}{{r}^{2}}$計(jì)算．

解答 解：電場強(qiáng)度等于放入電場中的試探電荷所受電場力與其電荷量的比值．由場強(qiáng)的定義式$E=\frac{F}{q}$求解電場強(qiáng)度的大�。�
Q是場源電荷，q是試探電荷．A點(diǎn)的電場強(qiáng)度大小由Q產(chǎn)生，所以A點(diǎn)的場強(qiáng)$E=k\frac{Q}{{r}^{2}}$．
故答案為：$\frac{F}{q}$或k$\frac{Q}{{r}^{2}}$

點(diǎn)評 本題考查對電場強(qiáng)度定義式$E=\frac{F}{q}$和點(diǎn)電荷的場強(qiáng)公式：$E=k\frac{Q}{{r}^{2}}$的理解和應(yīng)用能力，q是試探電荷．屬于基礎(chǔ)題目．