12．真空中一點(diǎn)電荷形成的電場中的部分電場線如圖所示，分別標(biāo)記為1、2、3、4、5，且1、5和2、4分別關(guān)于3對稱．以電場線上3上的某點(diǎn)為圓心畫一個(gè)圓，圓與各電場線的交點(diǎn)分別為a、b、c、d、e，則下列說法中正確的是（　　）

	A．	電場強(qiáng)度Ea＜Ec
	B．	電勢φb=φd
	C．	將一正電荷由a點(diǎn)移到d點(diǎn)，電場力做負(fù)功
	D．	將一負(fù)電荷由b點(diǎn)移到e點(diǎn)，電勢能減小

11．如圖甲所示，在木箱內(nèi)粗糙斜面上靜止一個(gè)質(zhì)量為m的物體，木箱豎直向上運(yùn)動的速度v與時(shí)間t的變化規(guī)律如圖乙所示，物體始終相對斜面靜止，斜面對物體的支持力和摩擦力分別為F_N和F_f，則下列說法正確的是（　　）

	A．	在0-t1時(shí)間內(nèi)，F(xiàn)N增大，F(xiàn)f減小		B．	在0-t1時(shí)間內(nèi)，F(xiàn)N減小，F(xiàn)f增大
	C．	在t1-t2時(shí)間內(nèi)，F(xiàn)N增大，F(xiàn)f增大		D．	在t1-t2時(shí)間內(nèi)，F(xiàn)N減小，F(xiàn)f減小

10．如圖所示，坐標(biāo)系xOy的第二象限內(nèi)有沿y軸負(fù)方向的勻強(qiáng)電場，x軸下方一半徑為R、與x軸相切于O點(diǎn)的圓區(qū)域內(nèi)，有方向垂直紙面向外，磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B=$\frac{2m{v}_{0}}{qR}$的勻強(qiáng)磁場．一質(zhì)量為m、帶電量為+q的帶電粒子，從P（-2$\sqrt{3}$L，L）點(diǎn)以速度v₀平行于x軸射出，從O點(diǎn)進(jìn)入磁場區(qū)域，不計(jì)粒子重力．求：
（1）勻強(qiáng)電場的電場強(qiáng)度；
（2）粒子第一次射出磁場時(shí)的坐標(biāo)；
（3）粒子從O點(diǎn)射入磁場到第一次離開磁場經(jīng)歷的時(shí)間．

9．如圖所示，在虛線MO的左側(cè)存在方向水平向右、電場強(qiáng)度大小為E=5V/m的勻強(qiáng)電場和方向垂直紙面向外、磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B=10T的勻強(qiáng)磁場，在MO的右側(cè)有一傾角為θ=37°的固定斜面，斜面通過一小段光滑圓弧與水平地面在O點(diǎn)相連．一質(zhì)量為m=3kg、電荷量q=1C的帶電小物塊從水平地面的A點(diǎn)處由靜止釋放，在電場作用下向右運(yùn)動，已知A、O間的距離為l=10m，物塊到達(dá)O點(diǎn)前已經(jīng)開始做勻速直線運(yùn)動，到達(dá)O點(diǎn)后通過圓弧滑上斜面，剛好能到達(dá)斜面中點(diǎn)C，設(shè)斜面頂端P的高度h=0.3m，物塊與水平地面間的動摩擦因數(shù)μ=0.1（重力加速度g=10m/s²，sin37°=0.6．cos37°=0.8）．
（1）求物塊在水平地面上克服摩擦力做的功；
（2）求物塊與斜面間的動摩擦因數(shù)μ′；
（3）如果在虛線MO的右側(cè)加一與紙面平行的勻強(qiáng)電場E′（電場強(qiáng)度的大小和方向未知），使物塊能夠到達(dá)斜面頂端P點(diǎn)，求勻強(qiáng)磁場E′的電場強(qiáng)度的最小值．

8．下列說法正確的是（　�。�

	A．	普朗克在研究黑體輻射問題時(shí)提出了能量子假說
	B．	大量的氫原子從n=3的能級向低能級躍遷時(shí)只會輻射兩種不同頻率的光
	C．	發(fā)生光電效應(yīng)時(shí)，入射光的光強(qiáng)一定，頻率越高，單位時(shí)間內(nèi)逸出的光電子數(shù)就越少
	D．	比結(jié)合能小的原子核分解為比結(jié)合能大的原子核時(shí)一定釋放核能
	E．	運(yùn)動的宏觀物體也具有波動性，其速度越大，物質(zhì)波的波長越大

7．如圖為頻率f=1Hz的波源產(chǎn)生的簡諧橫波，圖中虛線左側(cè)為A介質(zhì)，右側(cè)為B介質(zhì)．其中x=14m處的質(zhì)點(diǎn)振動方向向上．則該波在A、B兩種介質(zhì)中傳播的速度之比v_A：v_B=2：3．若圖示時(shí)刻為0時(shí)刻，則經(jīng)0.75s處于x=6m的質(zhì)點(diǎn)位移為5cm，處于x=4m的質(zhì)點(diǎn)的振動方程為y=5sin2πtcm．

6．關(guān)于熱學(xué)知識，下列敘述正確的是（　　）

	A．	物體的溫度越高，分子熱運(yùn)動越劇烈，每個(gè)分子的動能也會越大
	B．	在油膜法粗測分子直徑的實(shí)驗(yàn)中，把油分子看成球形，是物理學(xué)中的一個(gè)理想化模型，因?yàn)榉肿硬⒉徽娴氖乔蛐?/td>
	C．	當(dāng)分子力表現(xiàn)為斥力時(shí)，分子勢能隨分子間距離的減小而減小
	D．	氣體分子單位時(shí)間內(nèi)與單位面積器壁碰撞的次數(shù)和單位體積內(nèi)的分子數(shù)及溫度有關(guān)
	E．	玻璃管道裂口放在火上燒烙，它的尖端就變圓，是因?yàn)槿刍�的玻璃在表面張力的作用下，表面積要收縮到最小的緣故

5．如圖，兩平行金屬板A、B長l=8cm，兩板間距離d=8cm，B板比A板電勢高300V，即U_BA=300V．一帶正電的粒子電量q=1×10^-10C，質(zhì)量m=1×10^-20kg，以初速度v₀=2×10⁶m/s，從R點(diǎn)沿電場中心線RO垂直電場方向射入電場，粒子飛出電場后經(jīng)過無場區(qū)域，進(jìn)入界面MN、PQ間勻強(qiáng)磁場區(qū)域，從磁場的PQ邊界出來后剛好打在中心線上的S點(diǎn)，已知MN邊界與平行板的右端相距為L，兩界面MN、PQ相距為L，S點(diǎn)到PQ邊界的距離為$\frac{4}{3}$L，且L=12cm，粒子重力及空氣阻力忽略不計(jì)．求：
（1）粒子射出平行板時(shí)的速度大小v；
（2）粒子進(jìn)入界面MN時(shí)偏離中心線RO的距離；
（3）勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大�。�

4．如圖，AB為光滑豎直桿，ACB為構(gòu)成直角的光滑L形直軌道，C處有一小圓弧連接，可使小球順利轉(zhuǎn)變（即通過轉(zhuǎn)彎處不損失機(jī)械能）．套在桿上的小球自A點(diǎn)靜止釋放，分別沿AB軌道和ACB軌道運(yùn)動，如果沿ACB軌道運(yùn)動的時(shí)間是沿AB軌道運(yùn)動時(shí)間的1.5倍，則AB與AC的夾角為多少？

3．要測定一個(gè)自感系數(shù)很大的線圈L的直流電阻，實(shí)驗(yàn)室提供下列器材：
A．待測線圈L；阻值約為2Ω，額定電流為2A
B．電流表A₁：量程為0.6A，內(nèi)阻R_A1=0.6Ω
C．電流表A₂：量程為3A，內(nèi)阻R_A2=0.1Ω
D．滑動變阻器R₁：最大阻值為10Ω
E．滑動變阻器R₂：最大阻值為1kΩ
F．電源E：電動勢為9V，內(nèi)阻不計(jì)
G．定值電阻R₃=10Ω
H．定值電阻R₄=100Ω
I．開關(guān)兩個(gè)S₁和S₂
要求實(shí)驗(yàn)時(shí)，改變滑動變阻器的阻值，在盡可能大的范圍內(nèi)測得多組A₁、A₂的讀數(shù)I₁、I₂，然后利用I₁-I₂圖線求出電感線圈電阻R_L．

（1）實(shí)驗(yàn)中定值電阻應(yīng)該選G，變阻器應(yīng)選擇D．（填寫器材前的字母編號）
（2）請?jiān)趫D1方框內(nèi)畫出電路圖．
（3）實(shí)驗(yàn)結(jié)束時(shí)，應(yīng)先斷開開關(guān)S₂（選填“S₁”或“S₂”）．
（4）實(shí)驗(yàn)測得數(shù)據(jù)如圖2所示，則電感線圈的直流電阻值為2.0Ω．（保留兩位有效數(shù)字）