1560.8
異丁烷
2878.0
乙烷
891.0
正丁烷
21.以下是一些烷烴的燃燒熱(KJ/mol)數(shù)據(jù),試回答下列問(wèn)題:
化合物
燃燒熱
化合物
燃燒熱
甲烷
試回答下列有關(guān)問(wèn)題:
⑴X的化學(xué)式 ,X的熔點(diǎn)為801℃,實(shí)際工業(yè)冶煉中常常加入40%Y共熔,猜想工業(yè)上這樣做的目的 。
⑵Y在實(shí)驗(yàn)室中的用途 (列舉一例)。
⑶反應(yīng)②的化學(xué)方程式是_____________________________________________。
⑷反應(yīng)③的離子方程式是 。
五.(本題包括1小題,共9分)
20.下圖表示各物質(zhì)之間的轉(zhuǎn)化關(guān)系,其中反應(yīng)的部分產(chǎn)物已被省去。①、②為工業(yè)生產(chǎn)及應(yīng)用中常見(jiàn)反應(yīng),B是一種具有漂白作用的鹽,Y易潮解,F(xiàn)是一種淡黃色固體。
19.原子序數(shù)依次增大的A、B、C、D四種短周期元素。元素A的原子半徑在短周期中最小,元素C的單質(zhì)在空氣中含量最多,D所在周期的各元素單質(zhì)沸點(diǎn)變化如圖I(原子序數(shù)按遞增順序連續(xù)排列)。B、C、D三種元素均能與A形成等電子的三種分子,且化合物中各原子的個(gè)數(shù)比為:
化合物
甲
乙
丙
原子個(gè)數(shù)比
B∶A=1∶3
C∶A=1∶2
D∶A=1∶2
⑴元素D在元素周期中的位置 。
⑵B、C形成的一種化合物X是一種原子晶體,晶體
中B、C原子均達(dá)到穩(wěn)定結(jié)構(gòu),則X的化學(xué)式為
;X的熔點(diǎn) 金剛石(填“大于”、
“等于”或“小于”)。
⑶寫出圖I中沸點(diǎn)最高的單質(zhì)與NaOH溶液反應(yīng)的離子方程式: 。
⑴粗硅與HCl反應(yīng)完全后,經(jīng)冷凝得到的SiHCl3(沸點(diǎn)33.0℃)中含有少量SiCl4沸點(diǎn)57.6℃)和HCl(沸點(diǎn)-84.7℃),提純SiHCl3采用的方法為:____________________。
⑵用SiHCl3與過(guò)量H2反應(yīng)制備純硅的裝置如下(熱源及夾持裝置略去):
①裝置B中的試劑是________________________,裝置C中的燒瓶需要加熱,其目的是:___________________________________________________________。
②反應(yīng)一段時(shí)間后,裝置D中觀察到的現(xiàn)象是________________________,裝置D不能采用普通玻璃管的原因是____________________________________,裝置D中發(fā)生反應(yīng)的化學(xué)方程式為_(kāi)___________________________________。
③為保證制備純硅實(shí)驗(yàn)的成功,操作的關(guān)鍵是檢查實(shí)驗(yàn)裝置的氣密性,控制好反應(yīng)溫度以及____________________________________。
④為鑒定產(chǎn)品硅中是否含微量鐵單質(zhì),請(qǐng)?jiān)O(shè)計(jì)一個(gè)簡(jiǎn)單的實(shí)驗(yàn)方案,簡(jiǎn)述有關(guān)實(shí)驗(yàn)步驟。
。
18.(16分)已知:制備純硅的主要步驟如下:
①高溫下用碳還原二氧化硅制得粗硅;②粗硅與干燥HCl氣體反應(yīng)制得SiHCl3:Si+3HClSiHCl3+H2;③SiHCl3與過(guò)量H2在1000~1100℃反應(yīng)制得純硅。
已知:SiHCl3能與H2O強(qiáng)烈反應(yīng),在空氣中易自燃。
請(qǐng)回答下列問(wèn)題:
②用10 mL量筒量取5.80 mL鹽酸;
③用稀醋酸可除去熱水瓶?jī)?nèi)的水垢;
④檢驗(yàn)鹵代烴中鹵素時(shí),可將鹵代烴直接加入硝酸酸化的硝酸銀溶液中
⑤金屬鈉著火可用干燥的細(xì)沙撲滅;
⑥用排水法收集氫氣時(shí),不需要檢驗(yàn)純度,可直接點(diǎn)燃;
⑦檢驗(yàn)碳酸鈉溶液中是否混有氫氧化鈉可先加足量的氯化鈣溶液,再滴入酚酞試液;
⑧可用過(guò)濾法除去氧氫化鐵膠體中少量的氯化鐵和鹽酸。
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