Question

微電子工業(yè)中化合物A作為半導(dǎo)體、液晶和薄膜太陽(yáng)能電池等生產(chǎn)過(guò)程中的蝕刻劑．在對(duì)硅、氮化硅等材料進(jìn)行蝕刻時(shí)具有非常優(yōu)異的蝕刻速率和選擇性，在被蝕刻物表面不留任何殘留物，對(duì)表面無(wú)污染．
已知：
①化合物A由兩種元素組成，常溫下是一種無(wú)色、無(wú)臭的氣體，能助燃，當(dāng)溫度超過(guò)350℃時(shí)會(huì)緩慢分解成兩種氣體單質(zhì)，同溫同壓下氣體A相對(duì)于某常見(jiàn)黃綠色氣態(tài)單質(zhì)的相對(duì)密度為1；
②化合物B與單質(zhì)C在一定條件下反應(yīng)生成化合物A及化合物D，常溫下A、B、C、D均為氣體．
③B、D的分子具有相同的電子總數(shù)，且均極易溶于水，D的水溶液顯酸性常用來(lái)作玻璃雕刻的腐蝕液；
④C、A均能與水發(fā)生反應(yīng)．其中，C與水反應(yīng)生成D溶液及氣體單質(zhì)F；而A與水反應(yīng)則生成兩種酸溶液及一種氣態(tài)氧化物E（無(wú)色、有毒、難溶于水）．
（1）化合物B的結(jié)構(gòu)式是

 

，用相應(yīng)的化學(xué)用語(yǔ)表示B溶于水并發(fā)生電離的過(guò)程

 

．
（2）氣體A不可燃但能助燃，故氣體A的應(yīng)遠(yuǎn)離火種且與還原劑、易燃或可燃物等分開(kāi)存放．結(jié)構(gòu)決定性質(zhì)，試從結(jié)構(gòu)的角度加以分析：

 

．
（3）以A對(duì)氮化硅（Si₃N₄）材料的蝕刻為例，用反應(yīng)方程式來(lái)解釋為什么在被蝕刻物表面不留任何殘留物

 

．
（4）“已知④”中A與水發(fā)生的反應(yīng)屬于氧化還原反應(yīng)，若反應(yīng)中生成的氣態(tài)氧化物E標(biāo)況下為448mL，則生成兩種酸溶液中作為氧化產(chǎn)物的那種酸其物質(zhì)的量為

 

mol．
（5）設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)證明D是一種弱電解質(zhì)

 

．

Answer 1

考點(diǎn)：無(wú)機(jī)物的推斷

專題：推斷題

分析：①化合物A由兩種元素組成，常溫下是一種無(wú)色、無(wú)臭的氣體，能助燃，分解成兩種氣體單質(zhì)，同溫同壓下氣體A相對(duì)于某常見(jiàn)黃綠色氣態(tài)單質(zhì)的相對(duì)密度為1，黃綠色氣體為氯氣，則A的相對(duì)分子質(zhì)量為71；
③B、D的分子具有相同的電子總數(shù)，且均極易溶于水，D的水溶液顯酸性常用來(lái)作玻璃雕刻的腐蝕液，則D為HF，B為NH₃；
②化合物B與單質(zhì)C在一定條件下反應(yīng)生成化合物A及化合物D，常溫下A、B、C、D均為氣體，即NH₃+C→A+HF，由元素守恒可知，C為F₂，結(jié)合A的相對(duì)分子質(zhì)量，可推知A為NF₃；
④F₂與水反應(yīng)生成HF溶液及氣體單質(zhì)F為O₂；而NF₃與水反應(yīng)則生成兩種酸溶液及一種氣態(tài)氧化物E（無(wú)色、有毒、難溶于水），則應(yīng)生成HF、HNO₃、NO，即E為NO，據(jù)此解答．

解答： 解：①化合物A由兩種元素組成，常溫下是一種無(wú)色、無(wú)臭的氣體，能助燃，分解成兩種氣體單質(zhì)，同溫同壓下氣體A相對(duì)于某常見(jiàn)黃綠色氣態(tài)單質(zhì)的相對(duì)密度為1，黃綠色氣體為氯氣，則A的相對(duì)分子質(zhì)量為71；
③B、D的分子具有相同的電子總數(shù)，且均極易溶于水，D的水溶液顯酸性常用來(lái)作玻璃雕刻的腐蝕液，則D為HF，B為NH₃；
②化合物B與單質(zhì)C在一定條件下反應(yīng)生成化合物A及化合物D，常溫下A、B、C、D均為氣體，即NH₃+C→A+HF，由元素守恒可知，C為F₂，結(jié)合A的相對(duì)分子質(zhì)量，可推知A為NF₃；
④F₂與水反應(yīng)生成HF溶液及氣體單質(zhì)F為O₂；而NF₃與水反應(yīng)則生成兩種酸溶液及一種氣態(tài)氧化物E（無(wú)色、有毒、難溶于水），則應(yīng)生成HF、HNO₃、NO，即E為NO，
（1）化合物B為NH₃，結(jié)構(gòu)式是，NH₃溶于水并發(fā)生電離的過(guò)程為：NH₃+H₂ONH₃?H₂ONH₄⁺+OH^-，
故答案為：； NH₃+H₂ONH₃?H₂ONH₄⁺+OH^-；
（2）NF₃分子中N為+3價(jià)，有較強(qiáng)氧化性，故氣體A的應(yīng)遠(yuǎn)離火種且與還原劑、易燃或可燃物等分開(kāi)存放，
故答案為：NF₃分子中N為+3價(jià)，有較強(qiáng)氧化性；
（3）以NF₃對(duì)氮化硅（Si₃N₄）材料的蝕刻，被蝕刻物表面不留任何殘留物，說(shuō)明生成氣體，故應(yīng)生成氮?dú)馀c四氟化硅，反應(yīng)方程式為：4NF₃+Si₃N₄=4N₂↑+3SiF₄↑，
故答案為：4NF₃+Si₃N₄=4N₂↑+3SiF₄↑；
（4）④中生成的氣態(tài)氧化物NO標(biāo)況下為448mL，其物質(zhì)的量=

0.448L

22.4L/mol

=0.02mol，生成兩種酸溶液中作為氧化產(chǎn)物的那種酸為硝酸，根據(jù)電子轉(zhuǎn)移守恒，則生成硝酸的物質(zhì)的量=

0.02mol×(3-2)

5-3

=0.01mol，
故答案為：0.01mol；
（5）實(shí)驗(yàn)證明HF是一種弱電解質(zhì)的方案為：向NaF溶液中加入酚酞，溶液呈紅色，說(shuō)明NaF溶液呈堿性，則HF為弱電解質(zhì)，
故答案為：向NaF溶液中加入酚酞，溶液呈紅色，說(shuō)明NaF溶液呈堿性，則HF為弱電解質(zhì)．

點(diǎn)評(píng)：本題考查無(wú)機(jī)物推斷，D的用途是推斷突破口，涉及物質(zhì)性質(zhì)及其轉(zhuǎn)化在中學(xué)中基本不接觸，側(cè)重考查學(xué)生的綜合能力，難度較大．