A. | 電阻R1消耗的熱功率為$\frac{Fv}{3}$ | |
B. | 電阻 R1消耗的熱功率為$\frac{Fv}{6}$ | |
C. | 整個(gè)裝置因摩擦而消耗的熱功率為μmgvcosθ | |
D. | 整個(gè)裝置消耗的機(jī)械功率為(F+μmgcosθ)v |
分析 電阻R1、R2并聯(lián)與導(dǎo)體棒串聯(lián).由感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)公式E=BLv、歐姆定律、安培力公式,推導(dǎo)安培力與速度的關(guān)系式.由功率公式電阻的功率、熱功率及機(jī)械功率.
解答 解:A、設(shè)ab長(zhǎng)度為L(zhǎng),磁感應(yīng)強(qiáng)度為B,電阻R1=R2=R.電路中感應(yīng)電動(dòng)勢(shì)E=BLv,ab中感應(yīng)電流為:
I=$\frac{E}{R+\frac{R}{2}}$=$\frac{2BLv}{3R}$,
ab所受安培力為:F=BIL=$\frac{2{B}^{2}{L}^{2}v}{3R}$…①,
電阻R1消耗的熱功率為:P1=($\frac{1}{2}$I)2R=$\frac{{B}^{2}{L}^{2}{v}^{2}}{9R}$…②,
由①②得,P1=$\frac{1}{6}$Fv,電阻R1和R2阻值相等,它們消耗的電功率相等,則P1=P2=$\frac{1}{6}$Fv,故A錯(cuò)誤,B正確.
C、摩擦力大小f=μmgcosα,故整個(gè)裝置因摩擦而消耗的熱功率為:Pf=fv=μmgcosα•v=μmgvcosα,故C正確;
D、整個(gè)裝置消耗的機(jī)械功率為:P3=Fv+P2=(F+μmgcosα)v,故D正確.
故選:BCD.
點(diǎn)評(píng) 解決本題是根據(jù)法拉第電磁感應(yīng)定律、歐姆定律推導(dǎo)出安培力與速度的表達(dá)式,結(jié)合功率公式和功能關(guān)系進(jìn)行分析.
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 離開磁場(chǎng)區(qū)域過(guò)程中的電流方向?yàn)閐cbad | |
B. | 通過(guò)磁場(chǎng)區(qū)域過(guò)程中的最小速度為$\sqrt{\frac{2FL}{m}}$ | |
C. | 通過(guò)磁場(chǎng)區(qū)域過(guò)程中的焦耳熱為2FL | |
D. | 進(jìn)入磁場(chǎng)區(qū)域過(guò)程中受到的安培力的沖量大小為$\frac{{{B^2}{L^3}}}{R}$ |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:選擇題
A. | 3:2 | B. | 1:3 | C. | $\sqrt{3}$:1 | D. | 2:$\sqrt{3}$ |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:實(shí)驗(yàn)題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:計(jì)算題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:填空題
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:多選題
A. | 分子勢(shì)能隨著分子間距離的增大,可能先減小后增大 | |
B. | 物體吸收熱量,溫度一定升高 | |
C. | 浸潤(rùn)與不浸潤(rùn)是分子力作用的表現(xiàn) | |
D. | 天然石英表現(xiàn)為各向異性,是由于該物質(zhì)的微粒在空間的排列不規(guī)則 | |
E. | 熱量可以自發(fā)地從分子平均動(dòng)能大的物體傳給分子平均動(dòng)能小的物體 |
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科目:高中物理 來(lái)源: 題型:計(jì)算題
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