【題目】你認(rèn)為下列說(shuō)法不正確的是（ ）
A.氫鍵存在于分子之間，不存在于分子之內(nèi)
B.對(duì)于組成和結(jié)構(gòu)相似的分子，其范德華力隨著相對(duì)分子質(zhì)量的增大而增大
C.NH3極易溶于水而CH4難溶于水的原因只是NH3是極性分子，CH4是非極性分子
D.冰熔化時(shí)只破壞分子間作用力

A. 32 B. 60 C. 28 D. 4

A.Ag+、SO42－、HCO3－、Cl－B.Mg2+、Cl－、Na+、OH－

C.K+、MnO4－、H+、Fe2+D.Ba2+、Cl－、NH4+、SO42－

【題目】欲檢驗(yàn)氣體中是否含有、，進(jìn)行如下實(shí)驗(yàn)：

①將氣體通入酸化的溶液中，產(chǎn)生白色沉淀a：

②濾去沉淀a，向?yàn)V液中加入溶液，產(chǎn)生白色沉淀b。

下列說(shuō)法正確的是

A. 沉淀a為 B. 氣體中含有

C. 沉淀b為 D. 氣體中沒(méi)有HCI

【題目】Ⅰ.在C、N、O、Cl、U、U中：

(1)___和_____的質(zhì)量數(shù)相等，但不能互稱(chēng)為同位素。

(2)____和__的中子數(shù)相等，但質(zhì)子數(shù)不相等，所以不是同一種元素。以上所列共有____種元素。

Ⅱ.物質(zhì)的類(lèi)別和核心元素的化合價(jià)是研究物質(zhì)性質(zhì)的兩個(gè)基本視角。

(1)Y的分子式為____。

(2)圖中X的電子式為 HH　；其水溶液長(zhǎng)期在空氣中放置容易變渾濁，原因是____(用化學(xué)方程式表示)；該變化體現(xiàn)出：S非金屬性比O____(填“強(qiáng)”或“弱”)。用原子結(jié)構(gòu)解釋原因：同主族元素從上到下，__________，得電子能力逐漸減弱。

(3)Z與圖表中某物質(zhì)反應(yīng)生成SO2的化學(xué)方程式是_______。

(1)Q的離子結(jié)構(gòu)示意圖為__。

(2)Y元素的單質(zhì)及其化合物能發(fā)生如上圖所示的轉(zhuǎn)化，則Y元素為___(填元素符號(hào))。在甲溶液中通入足量YZ2氣體，寫(xiě)出該反應(yīng)的離子方程式：______。

(3)W的單質(zhì)既能與甲溶液反應(yīng)，又能與乙溶液反應(yīng)。

①常溫下，將W的單質(zhì)和甲溶液混合，發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為_______。

②Q、W兩種元素金屬性的強(qiáng)弱為Q____W(填“<”或“>”)，下列表述中能證明這一事實(shí)的是____(填序號(hào))。

a．Q單質(zhì)的熔點(diǎn)比W單質(zhì)的低

b．W的原子序數(shù)大

c．Q的最高價(jià)氧化物的水化物的堿性比W的最高價(jià)氧化物的水化物的堿性強(qiáng)

A. ②③ B. ①②③④ C. ①②④ D. ②③④

【題目】有等體積、等pH的Ba（OH）2、NaOH和NH3H2O三種堿溶液，滴加等濃度的鹽酸將它們恰好中和，用去酸的體積分別為V1、V2、V3 ， 則三者的大小關(guān)系正確的是（　�。�
A.V3＞V2＞V1
B.V3=V2=V1
C.V1=V2＞V3
D.V3＞V2=V1

【題目】單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料．科學(xué)家預(yù)測(cè)，到2011年一個(gè)電腦芯片上將會(huì)集成10億個(gè)晶體管，其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大得多，這對(duì)硅的純度要求很高。用化學(xué)方法可制得高純硅，有關(guān)化學(xué)反應(yīng)方程式為：①SiO2+2CSi+2CO↑ ②Si+2Cl2SiCl4 ③SiCl4+2H2Si+4HCl

下列有關(guān)說(shuō)法不正確的是

A. ②是化合反應(yīng) B. ①②③是氧化還原反應(yīng)

C. ①③是置換反應(yīng) D. ①③是復(fù)分解反應(yīng)

【題目】2016年IUPAC命名117號(hào)元素為Ts（中文名“ ”，tián），Ts的原子核外最外層電子數(shù)是7，下列說(shuō)法不正確的是（　　）

A. Ts是第七周期第ⅦA族元素 B. Ts的同位素原子具有相同的電子數(shù)

C. Ts在同族元素中非金屬性最弱 D. 中子數(shù)為176的TS核素符號(hào)是 Ts