用安培定則判斷直線電流的磁感線：手握住導(dǎo)線，讓伸直的拇指與 的方向一致，那么彎曲的四指所指的方向就是磁感線的環(huán)繞方向．

如圖所示，離子源S產(chǎn)生質(zhì)量為m，電荷量為q的離子，離子產(chǎn)生出來的速度很小，要以看做速度為0，產(chǎn)生的離子經(jīng)過電壓U加速后，進(jìn)入磁感強(qiáng)度為B的一勻強(qiáng)磁場，沿著半圓周運(yùn)動(dòng)到達(dá)P點(diǎn)，測得P點(diǎn)到入口處S₁的距離為L，則 N極板為極板，此離子荷質(zhì)比

q

m

=．

一電子以垂直于磁場方向的初速度飛入勻強(qiáng)磁場后做圓周運(yùn)動(dòng)，磁場方向和運(yùn)動(dòng)軌跡如圖，則電子應(yīng)沿（填“順時(shí)針”或“逆時(shí)針”）方向運(yùn)動(dòng)．如果磁場突然變?nèi)�，則電子運(yùn)動(dòng)的半徑（填“變大”、“變小”或“不變”）．

如圖所示．放在磁感應(yīng)強(qiáng)度為1.0T的勻強(qiáng)磁場中的導(dǎo)體abc中通有方向由a到b到c、大小為2.0A的電流．a(chǎn)b=0.3m，bc=0.4m．則該導(dǎo)體受到的安培力大小為，方向?yàn)?!--BA-->．

四根直導(dǎo)線圍成一個(gè)正方形，各自通以大小相等的電流，方向如圖．已知正方形中心O點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B，若將I₁電流反向（大小不變），則O點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小變?yōu)?!--BA-->，要使O點(diǎn)磁感應(yīng)強(qiáng)度變?yōu)榱�，I₁電流反向后大小應(yīng)變?yōu)樵瓉淼?!--BA-->倍．

如圖，甲、乙兩處有一處是電源，另一處是用電器，在中間用小磁針測試，發(fā)現(xiàn)P處小磁針N極指向紙外，Q處磁針N極指向紙里，則處是電源（選填“甲”或“乙”），R₂中電方向（選填“向右”或“向左”）．

B．鈾核產(chǎn)生鏈?zhǔn)椒磻?yīng)的條件是：中子的“再生率”大于．一初速為零的帶電粒子，經(jīng)過電壓為U勻強(qiáng)電場中，已知帶電粒子的質(zhì)量質(zhì)量是m，電量是q，則帶電粒子磁場中所受的洛侖茲力大小為．

如圖所示，傾角θ=30°的斜面所在空間有水平的勻強(qiáng)磁場，磁場的磁感強(qiáng)度B=2T，將一質(zhì)量m=0.2kg、帶電量g=+0.5C的小球在斜面上由靜止釋放，當(dāng)小球沿斜面下滑的距離l=lm時(shí)，小球剛好要離開斜面．則小球離開斜面時(shí)速率為 m/s，在斜面上運(yùn)動(dòng)過程中小球克服摩擦力做的功為 J． （g=10m/s²）

如圖所示，質(zhì)量為m的帶正電小球套在豎直的絕緣桿上并能沿桿豎直下滑，勻強(qiáng)磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B方向水平，并與小球運(yùn)動(dòng)方向垂直．若小球的電荷量為q，球與桿間的動(dòng)摩擦因數(shù)為?，設(shè)豎直絕緣桿足夠長，則小球由靜止釋放后的最大加速度a_m=，下滑的最大速度v_m=．

如圖所示，質(zhì)量為m的型導(dǎo)線框abcd，其質(zhì)量均勻分布，ab與cd長度均為l，寬度bc為s，導(dǎo)線框置于豎直向上的勻強(qiáng)磁場中，可繞水平軸MN轉(zhuǎn)動(dòng)，現(xiàn)給導(dǎo)線框通以MabcdN方向、電流強(qiáng)度為I的恒定電流，導(dǎo)線框由靜止開始從豎直平面向紙外偏轉(zhuǎn)，在達(dá)到最大角度為θ的過程中，安培力對導(dǎo)線框做的功為；導(dǎo)線框最終靜止時(shí)與豎直平面夾角為φ，則勻強(qiáng)磁場的磁感強(qiáng)度B為．